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宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展
被引量:
14
1
作者
范希武
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期317-329,共13页
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格...
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。
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关键词
Ⅱ-Ⅵ族半导体
低维结构
光学性质
自由激子发射
激子
薄膜生长
下载PDF
职称材料
微纳跨尺度ZnO结构的紫外发射机理研究
被引量:
7
2
作者
吴春霞
周明
+4 位作者
冯程程
袁润
李刚
马伟伟
蔡兰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期3887-3891,共5页
利用气相输运的方法在Si(100)衬底上生长了ZnO的微纳跨尺度结构.扫描电镜照片可以明显地看到样品表面为椎顶六角微米柱-纳米棒的复合结构.样品在室温下的光致发光谱出现了很强的紫外发射峰,没有观察到与杂质或缺陷相关的深能级发射,表...
利用气相输运的方法在Si(100)衬底上生长了ZnO的微纳跨尺度结构.扫描电镜照片可以明显地看到样品表面为椎顶六角微米柱-纳米棒的复合结构.样品在室温下的光致发光谱出现了很强的紫外发射峰,没有观察到与杂质或缺陷相关的深能级发射,表明样品有很好的光学质量.通过详细的研究样品的紫外发射谱与温度(83—307K)的依赖关系,发现在室温下样品的近带边发射包含两个部分,分别与自由激子发射和自由载流子到施主(受主)的跃迁(FB跃迁)相关,这个施主(受主)束缚态的离化能为124·6meV.
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关键词
ZnO微纳跨尺度结构
光致发光谱
自由
载流子到施主(受主)的跃迁
自由激子发射
原文传递
题名
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展
被引量:
14
1
作者
范希武
机构
中国科学院激发态物理重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期317-329,共13页
基金
国家攀登计划项目
国家自然科学重大基金项目(69896260)
+7 种基金
国家自然科基金
国家863高技术计划
中国科学院重大项目
中国科学院重点项目
中国科学院百人计划
中国科学院知识创新工程
吉林省科委基金
中国科学院激发态物理重点实验室的资助项目
文摘
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。
关键词
Ⅱ-Ⅵ族半导体
低维结构
光学性质
自由激子发射
激子
薄膜生长
Keywords
Ⅱ-Ⅵ semiconductor
low dimension structure
optical properties
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
微纳跨尺度ZnO结构的紫外发射机理研究
被引量:
7
2
作者
吴春霞
周明
冯程程
袁润
李刚
马伟伟
蔡兰
机构
江苏大学光子制造科学中心
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期3887-3891,共5页
基金
国家自然科学基金重点项目(批准号:50435030)
教育部新世纪优秀人才支持计划资助的课题~~
文摘
利用气相输运的方法在Si(100)衬底上生长了ZnO的微纳跨尺度结构.扫描电镜照片可以明显地看到样品表面为椎顶六角微米柱-纳米棒的复合结构.样品在室温下的光致发光谱出现了很强的紫外发射峰,没有观察到与杂质或缺陷相关的深能级发射,表明样品有很好的光学质量.通过详细的研究样品的紫外发射谱与温度(83—307K)的依赖关系,发现在室温下样品的近带边发射包含两个部分,分别与自由激子发射和自由载流子到施主(受主)的跃迁(FB跃迁)相关,这个施主(受主)束缚态的离化能为124·6meV.
关键词
ZnO微纳跨尺度结构
光致发光谱
自由
载流子到施主(受主)的跃迁
自由激子发射
Keywords
micro-nano multi-scale ZnO structures, photoluminescence spectrum, free-to-bound transition, free exciton emission
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展
范希武
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
14
下载PDF
职称材料
2
微纳跨尺度ZnO结构的紫外发射机理研究
吴春霞
周明
冯程程
袁润
李刚
马伟伟
蔡兰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
7
原文传递
已选择
0
条
导出题录
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参考文献
引证文献
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