半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征

在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系ＧａＩｎＡｓＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式．计算结果表明，激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系．根据本文的简单模型，线性比例系数Ｉ／Ｉ０实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率，而从激子荧光强度的Ａｒｈｅｎｉｕｓ图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能，而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数．