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非傍轴部分相干厄米-高斯光束的相干和非相干合成 被引量：2
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作者 黎昌金 吕百达 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期6192-6201,共10页
推导出二维非傍轴部分相干厄米-高斯(H-G)光束相干合成和非相干合成的交叉谱密度和光强的解析公式,并分析了一些特例.合成光束的光强不仅决定于f参数,fσ参数,离轴参数,合成光束的束数和阶数以及传输距离z,而且还决定于合成方式.对部分... 推导出二维非傍轴部分相干厄米-高斯(H-G)光束相干合成和非相干合成的交叉谱密度和光强的解析公式,并分析了一些特例.合成光束的光强不仅决定于f参数,fσ参数,离轴参数,合成光束的束数和阶数以及传输距离z,而且还决定于合成方式.对部分相干光的相干合成和非相干合成概念做了物理诠释,其正确性为数值计算例证实. 展开更多
关键词 部分相干光的相干和非相干合成 非傍轴部分相干厄米-高斯(H-G)光束 自由空间中的传输方程
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