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晶粒有序Si基纳米发光材料的自组织化生长
被引量:
15
1
作者
彭英才
X.W.Zhao
傅广生
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期449-460,共12页
提出了两类用于制备晶粒有序Si基纳米发光材料的方案。一种是利用固体表面预成核位置的有序化,如台阶表面、再构表面、吸附表面以及图形表面等加以实现。另一种则是通过控制自组织生长成校过程的有序性,如退火诱导晶化、引入埋层应变、...
提出了两类用于制备晶粒有序Si基纳米发光材料的方案。一种是利用固体表面预成核位置的有序化,如台阶表面、再构表面、吸附表面以及图形表面等加以实现。另一种则是通过控制自组织生长成校过程的有序性,如退火诱导晶化、引入埋层应变、异种原子掺杂以及分子自组装等加以实现。评论了这些制备方法的最新进展,并展望了它的未来发展趋势。
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关键词
无机非金属材料
Si基纳米发光材料
评述
密度分布
自组织化生长
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职称材料
题名
晶粒有序Si基纳米发光材料的自组织化生长
被引量:
15
1
作者
彭英才
X.W.Zhao
傅广生
机构
河北大学
Department of Physics
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期449-460,共12页
基金
河北省自然科学基金503125和500084
文摘
提出了两类用于制备晶粒有序Si基纳米发光材料的方案。一种是利用固体表面预成核位置的有序化,如台阶表面、再构表面、吸附表面以及图形表面等加以实现。另一种则是通过控制自组织生长成校过程的有序性,如退火诱导晶化、引入埋层应变、异种原子掺杂以及分子自组装等加以实现。评论了这些制备方法的最新进展,并展望了它的未来发展趋势。
关键词
无机非金属材料
Si基纳米发光材料
评述
密度分布
自组织化生长
Keywords
Doping (additives)
Film growth
Grain size and shape
Integrated optoelectronics
Nanostructured materials
Nucleation
Silicon
分类号
O782 [理学—晶体学]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
晶粒有序Si基纳米发光材料的自组织化生长
彭英才
X.W.Zhao
傅广生
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
15
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