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基于Sb_2O_3/Ag/Sb_2O_3叠层透明导电薄膜的自组装沟道透明薄膜晶体管
被引量:
1
1
作者
张楠
刘星元
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期1469-1473,共5页
首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3(SAS)叠层透明导电薄膜作为透明电极,并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺,在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的...
首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3(SAS)叠层透明导电薄膜作为透明电极,并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺,在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的透明薄膜晶体管具有良好的器件性能,其迁移率高达11.36cm2/(V·s)。整个器件在可见光范围内的平均透过率为80%。结果表明,这种透明薄膜晶体管有希望应用于低成本透明光电子产品中。
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关键词
透明导电薄膜
Sb2O3/Ag/Sb2O3叠层
自组装沟道
透明薄膜晶体管
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职称材料
题名
基于Sb_2O_3/Ag/Sb_2O_3叠层透明导电薄膜的自组装沟道透明薄膜晶体管
被引量:
1
1
作者
张楠
刘星元
机构
发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院大学
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期1469-1473,共5页
基金
国家自然科学基金(61106057)资助项目
文摘
首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3(SAS)叠层透明导电薄膜作为透明电极,并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺,在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的透明薄膜晶体管具有良好的器件性能,其迁移率高达11.36cm2/(V·s)。整个器件在可见光范围内的平均透过率为80%。结果表明,这种透明薄膜晶体管有希望应用于低成本透明光电子产品中。
关键词
透明导电薄膜
Sb2O3/Ag/Sb2O3叠层
自组装沟道
透明薄膜晶体管
Keywords
transparent conductive film
Sb2O3/ Ag / Sb2O3multilayer
self-assembled channel
transparent thin-film transistors
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于Sb_2O_3/Ag/Sb_2O_3叠层透明导电薄膜的自组装沟道透明薄膜晶体管
张楠
刘星元
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
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