适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路

设计了一种适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路,该电路具有低延时、低功耗、高速、高开关频率的特点。电路通过单脉冲产生电路检测开关节点电压,以实现零静态功耗;加入互锁电路以防误触发,消除了由开关节点毛刺导致的上下管直通的现象。电路基于SMIC 0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明,死区时间可随负载变化而自适应调整,且当最坏情况开关节点电压的dv/dt=48 V/ns时,电路高低侧死区时间误差仅为1.59 ns和2.69 ns。

采用ZVS条件控制的DC-DC同步整流技术

以 Buck结构 DC-DC为例 ,结合仿真波形分析了 DC-DC一个开关周期 4个阶段的电流电压情况 ,证明由 ZVS条件控制 MOS管的导通和断开是损耗最小的。由此提出了两种实现 ZVS控制的电路拓扑 :同步反馈控制以及由程序综合的控制电路。并与自适应控制进行了比较。同步反馈控制利用时钟和 ZVS条件 ,结合 MUX实现了导通和关断的理想波形。由程序综合的控制电路以 PWM控制和 ZVS控制为目标 ,并由时钟同步 。