氟化镁晶体中自陷态激子结构的研究

本文采用单电子Hartree-Fork近似基础上的扩展离子方法研究MgF2 晶体中的自陷态激子(STE)的结构。研究表明这种晶体中的STE实际上是具有C1 位形的最近邻的F-H对。对于STE光谱研究的理论结果与实验相符合。

CsCl和CsBr中自陷态激子的研究

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上采用扩展离子方法研究了ＣｓＣｌ型晶体中自陷态激子（ＳＴＥ）的结构，研究表明ＣｓＣｌ中三重态ＳＴＥ的位形是较强的ｏｆ－ｃｅｎｔｅｒ，ＣｓＢｒ中三重态ＳＴＥ的位形是较弱的ｏｆ－ｃｅｎｔｅｒ，ＣｓＢｒ中单重态ＳＴＥ的位形是ｏｎ－ｃｅｎｔｅｒ．

NH_4Cl和NH_4Br晶体中自陷态激子的辐射光谱和V_k心的吸收光谱研究

在单电子Hartree Fock近似的基础上采用扩展离子方法研究了NH4Cl和NH4Br晶体中自陷态激子(STE)的辐射光谱和Vk心的吸收光谱,根据变分法原理确定STE系统的最小能量及其相应的离子位移场,用赝势方法确定缺陷电子的态和能量,电子波函数和晶格弛豫由自洽迭代确定,研究结果表明自陷态激子的辐射光谱和Vk心的吸收光谱与实验符合得很好.

零维锑基有机-无机杂化氯化物的自陷态激子发光及其发光二极管

新兴的零维金属卤化物材料由于其优异的光电性能,近期引起了研究者们的特别关注。本文使用反溶剂法和旋涂法分别制备了零维金属卤化物四苯基膦氯化锑[(C_(6)H_(5))_(4)P]_(2)SbCl_(5)的发光材料和器件,通过稳态激发/发射光谱、瞬态光谱对其发光性能进行了研究。研究结果表明,在紫外光激发下,[(C_(6)H_(5))_(4)P]_(2)SbCl_(5)可以发出明亮的橙红光,这种橙红光源于零维限域作用下的自陷态激子三重态发光。变温光致发光(PL)和衰减寿命研究表明该物质具有600 meV左右的热激活能,抗热猝灭性能较强。通过优化器件结构,引入聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)作为空穴传输层,通过混合Poly-TPD的荧光发射和[(C_(6)H_(5))_(4)P]_(2)SbCl_(5)的自陷激子发光,获得了在6 V偏压下126 cd/m^(2)的暖白光电致发光器件。本工作对溶液法加工无铅金属卤化合物电致发光器件的进程具有一定的推动作用。

RGS中a－STE及原子解吸的机理研究

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上采用扩展离子方法研究ＲＧＳ中原子型的激子驰豫及所导致的激发态原子解吸机理．研究表明激子──晶格相互作用在解吸过任中起着重要作用．研究结果是位于表面的及表现下一层的原子型激子，可通过空腔解吸机理导致激发态Ｎｅ原子的解吸，却不可能导致激发态Ｋｒ原子的解吸，这与它们的体内ａ－ＳＴＥ周围能否形成空腔有关．此外，对解吸原子的发光研究结果与实验符合得较好．

MgF_2中STE转化为F-H对微观机制的研究

文章在单电子Hartree-Fork近似的基础上采用扩展离子方法研究了MgF2晶体中自陷态激子STE转化为F-H对的微观物理机制,结果发现稳定的F-H对只能由STE的空穴激发态产生,最后我们建立了激发态空穴跳跃扩散的模型来解释这种形成机制。

卤化铵晶体STE辐射光谱和V_k心吸收光谱研究

采用扩展离子方法研究了卤化铵晶体中自陷态激子(STE)的辐射光谱和Vk心的吸收光谱,根据变分法原理确定STE系统的最小能量及其相应的离子位移场.用赝势方法确定缺陷电子的态和能量,研究结果表明STE辐射光谱和Vk心吸收光谱与实验符合得很好。

KMgF_3晶体的色心和自陷态激子研究

应用从头计算方法对KMgF3离子晶体中的色心和自陷态激子 (STE)进行了模拟研究 .对包含F心的量子团簇进行几何结构优化 ,并计算了F心处于 1s基态和 2p激发态的Mulliken电荷分布 .模拟结果表明 ,F心周围的晶格弛豫较小 ,处于基态的F心电子主要局域在阴离子空位处 ,而处于激发态的F心电子波函数则比较扩展 .计算结果表明 ,VK 心移向邻近的间隙位置 ,但仍保持分子轴向与 [110 ]晶向平行 .自陷态激子的弛豫是分子轴向平移与转动的叠加 .计算得到的F心、VK 心的光学激发能及STE的发光能与实验符合得较好 .

离子掺杂调控双钙钛矿量子点发光性能的研究进展

铅基卤化物钙钛矿发光材料因具有灵活的晶体结构、带隙可调性、缺陷容忍性和高荧光量子产率等优异性能而备受关注.但金属铅的毒性和钙钛矿的稳定性一直是阻碍其商业应用急需解决的问题.因此,需要探索更绿色环保的非铅金属卤化物类钙钛矿发光材料.近年来,通过替换铅离子发展起来的非铅双钙钛矿结构成功实现了低毒性和高稳定性,但由于其是间接带隙或因为宇称禁阻的直接带隙而造成光致发光效率极低.为了解决此问题,研究人员开发了离子掺杂策略,实现了光致发光效率的提升.本文综合评述了非铅双钙钛矿材料的晶体结构和发光性能,归纳了主族金属、稀土金属和过渡金属掺杂对非铅双钙钛矿发光性能的影响及其发光机制.最后,对离子掺杂策略的应用和进一步提升非铅双钙钛矿发光材料的性能进行了总结和展望.

压力诱导发光 未来可期

科技创新的根源是基于基础科学研究的提升,而“从0到1”的突破是需要长期的积累和灵感的。本文讲述了发现压力诱导发光这一新现象的思想和材料设计。

基于零维杂化锑基氯化物的可逆荧光发射转化

零维有机-无机杂化金属卤化物因可调控的自陷态激子发射在发光和显示等领域具有很好的应用前景。特别是同时具有单线态和三线态激子发射双带光谱的零维金属卤化物在白光固态照明应用中极具潜力。本工作报道了两种零维杂化锑基氯化物(C_(24)H_(20)P)_(2)SbCl_(5)(Ⅰ)和(C_(24)H_(20)P)_(2)SbCl_(5)·H_(2)O·0.5DMF(Ⅱ)(C_(24)H_(20)P为四苯基膦,Ph4P)。在低能量光子(如360 nm)激发下,化合物Ⅰ和Ⅱ分别呈现出由自陷态激子发射的红色和黄色的单峰宽带光谱。此外,当用高能量光子(如310 nm)激发时,Ⅱ的光谱呈现出双带白光发射,除黄光发射带外,还出现了一个源于单线态自陷激发发射的蓝光发射带。研究表明,通过引入和去除DMF和水分子,化合物Ⅰ和Ⅱ能实现可逆转化。该研究揭示了小分子对零维杂化金属卤化物晶体结构的调控机制,从而实现单带发射和双带发射之间的转变,为设计具有小分子传感应用的零维金属卤化物奠定了研究基础。

利用瞬态电致发光研究有机小分子发光器件中延迟荧光的发射机理

制备了两种基于Alq3的有机小分子发光器件,其结构分别为:ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al.利用瞬态电致发光技术,研究了这两种发光器件中延迟荧光的发射机理.发现在Alq3的双层器件中,延迟荧光较弱,且主要是由电荷延迟注入所形成的单重态激子退激产生;而在Alq3:DCM染料掺杂器件中,延迟荧光较强.通过分析Alq3:DCM掺杂器件的延迟荧光对反偏压和脉冲偏压脉宽的依赖关系,进一步发现掺杂器件的延迟荧光主要来自于发光层中受陷电荷释放后的再复合过程以及DCM客体分子中的三重态-三重态激子淬灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)过程.其中,TTA过程是Alq3:DCM掺杂器件中延迟荧光产生的主要机制.

拳拳赤子心 殷殷报国情——访民进会员陈凌孚教授

久闻民进江苏省委委员、省政协常委、南京师范大学副校长陈凌孚教授在物理研究方面顺有建树,他1987年到1989年在加拿大渥太华大学作访问学者时与K.S.SONG教授合作,提出了“自陷态激子偏中心模型及其理论”,带来了晶体缺陷理论的革命性的思维突变,被称为“宋一陈理论”,并被收入英国大百科全书。他本人被聘为美国纽约科学院国际院士,同时还是我国有资格参与诺贝尔奖候选人提名的学者,1992年荣获“省中青年科学家”称号,并享受国务院特殊津贴。