电场作用下高分子中自陷束缚激子的极化

用同时计入电场、对称破缺项ｔｅ和电子晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子．发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移，出现极化．极化程度随场强增加，也与ｔｅ有关．并发现ｔｅ≤０．１ｅＶ时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化；双激子态即上定域态被占而下定域态空着，当ｔｅ不大时，双激子态的极化就是反向的．

电场作用下聚对苯亚胺中的激子行为

从扩展的Ginder Epstein(GE)模型出发,计入静电场,数值模拟了有限长开链聚对苯亚胺(pernigrani line base)中的激子态。计算表明,当场强为零时,激子是自陷(self trapped)束缚的极化子激子;随着电场强度的增加,缺陷将沿电场方向发生移动(无论正反向施以电场);而当E≥3 6×104V/cm时,激子被静电场解离,形成正、负极化子而束缚在链端。本文关于零电场和强电场时的激子行为与李蕾,傅柔励等人关于m LPPP等电致发光材料的结果十分相似,但在弱电场时,并未出现预料中的极化,疑与本文引用的模型有关。