晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用 Huybrechts线性组合算符和变分法 ,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子 -表面光学 (SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合体系的影响 ,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律 ,对 Cd F2半导体膜进行了数值计算 ,结果表明 ,Cd F2 极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用 .并且发现 Cd F2 半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献 ,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小 ,这表明晶格热振动将削弱电子

半导体极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能

采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能随膜厚d的变化关系。得出束缚磁极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(E_(e-LO)^(tr)),第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的。后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(E_(e-SO)^(tr)so(+),E_(e-SO)^(tr)so(-))。通过对KCl半导体膜的数值计算表明,E_(e-ph)^(tr)和磁极化子的振动频率λ随膜厚d的增加而减少;当膜厚大于5 nm时,总自陷能E_(e-ph)^(tr)趋于一稳定值。另外,由于稳恒磁场的存在,使磁极化子的自陷能增大,这主要是由于稳恒磁场的存在,使电子-声子间的相互作用改变而引起的.

量子阱中强耦合极化子自陷能的温度依赖性

采用Huybrechts的线性组合算符法和改进的LLP变分法,研究了晶格热振动对无限势垒量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合极化子性质的影响. 推导出作为阱宽和温度函数的极化子自陷能的表达式. 对KI/AgCl/KI量子阱进行了数值计算,结果表明,极化子的自陷能随阱宽增加而减小、随温度升高而减小,但不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献以及它们随阱宽和温度的变化情况大不相同.

晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .

量子阱中极化子基态自陷能的耦合求解方法

用一种新的变分方法研究准二维量子阱中极化子系统的自陷能等问题．只有纵光学声子和表面声子的对称模对极化子的基态能量有贡献．作为例子，对ＧｓＡｓ／ＡｌＡｓ量子阱中极化子的基态波函数和自陷能进行了数值分析．与先前的结果相比，当有效耦合常数稍大时极化子具有更低的自陷能．

自旋对表面磁极化子自陷能磁场特性的影响

讨论了电子自旋对表面磁极化子特性的影响.应用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对电子与表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子自陷能Etr磁场特性的影响.以TlB r晶体为例所作的数值计算结果表明:电子自旋使Etr分裂为二,且随磁场B的加强,分裂间距增大;若电子与光学声子耦合强,自旋量子数mS取-1/2时,Etr随B的加强而增大,mS取1/2时Etr随B的加强而减少;若电子与光学声子耦合弱,不论mS取何值,Etr都随B的加强而减少;不论电子与光学声子耦合强还是弱,电子自旋作用对Etr的影响都随B的加强而增大.

极性晶体中强耦合激子与界面光学声子产生的自陷能

采用线性组合和LLP变分相结合的方法研究了极性晶体界面强耦合激子的自陷能,得到了作为激子坐标和电子﹣空穴间距离函数的激子与界面光学(IO)声子相互作用产生的自陷能的表达式,进一步说明了极性晶体界面光学声子的重要性。

量子阱内磁极化子自陷能的温度关系

采用推广的Larsen微扰理论,在有限温度情况下,对量子阱内的电子体LO声子耦合系统进行研究,得到了磁极化子自陷能的解析表达式,并以GaAs量子阱为例,进行数值计算.结果表明,磁极化子自陷能随阱宽的增大而增大;随温度的变化受磁场的影响特别显著,“低磁场”时,磁极化子自陷能随温度升高而变大;“高磁场”时。

InAs晶体二维自旋磁极化子自陷能的磁温效应

在同时考虑磁场和高温高压的情况下,应用么正变换和线性组合算符法,研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子自陷能的影响。对 InAs半导体所作的数值计算结果表明,不同方向的电子自旋使弱耦合二维磁极化子的自陷能分裂为二。分裂的程度随磁场的加强而加剧。随着磁场或温度的增加,磁极化子的自陷能减小而电子自旋能量与磁极化子自陷能之比增大。当磁场足够强或温度足够高时,电子自旋能量与磁极化子自陷能之比是很大的。

极性晶体膜中电子-表面声子强耦合极化子的自陷能

采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法，研究了极性晶体膜内电子与体纵光学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合系统的基态能量，得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能，对ＫＣｌ晶体进行了数值计算，结果表明。

存在色散时表面极化子的基态能自陷能、重整化质量

存在色散时表面极化子的基态能自陷能，重整化质量陈国应，沈仲钧（大连大学工学院物理教研室大连１１６０２４）（华东师大物理系上海２０００６２）０引言自从黄昆研究离子晶体中光学支长波振动以来［２］，人们讨论ＬＯ声子与带电粒子相互作用时，一直将声子频率看成常...

极性膜中弱耦合极化子自陷能的温度依赖性的研究

采用Huybrechts线性组合算符法和变分法 ,研究了极性膜中电子与LO声子和SO声子均为弱耦合极化子自陷能的温度依赖性 .

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法，研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合系统的基态能量，得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能，对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。

论过失犯中被害人同意与被害人自陷风险的关系

被害人同意与被害人自陷风险均隶属于被害人教义学体系,但如何处理两者的关系存在较大争议。当前的有力见解是将被害人自陷风险理解为被害人同意的特殊类型,并运用同意理论解释自陷风险情形何以排除刑法归责。然而,自陷风险问题难以在同意理论之中“求解”。从同意结果说的角度分析,统合同意与自陷风险的观点扭曲了被害人真实的自我决定,属于“不诚实的拟制”;从同意行为说的角度分析,统合论的见解导致同意的“客观化”,偏离了同意的经典法理。基于被害人同意与被害人自陷风险在自我决定内容方面的根本差异,有必要将它们区别为两个独立的问题,并在教义学层面为二者配置不同的解释方案。前者沿用经典的同意理论,后者则可适用被害人自我答责原则。

金属卤化物钙钛矿半导体中的自陷激子

在极性晶体中,由于强电子–声子耦合,激发的电子–空穴对可以被晶格畸变产生的形变势场所俘获,形成自陷激子。金属卤化物钙钛矿半导体作为一种离子晶体已经被证实具有高效的自陷激子发光,成为制备新一代高质量白光光源的理想候选材料。然而,对于金属卤化物钙钛矿中自陷激子发光机制的理解仍然较为匮乏,远远落后于器件方面的发展。为此,本文主要从自陷激子的基础物理角度出发,总结了近年来关于金属卤化物钙钛矿半导体中自陷激子的形成条件、形成机制以及相关激发态动力学的研究进展,并对未来基于该体系中自陷激子机理方面的研究做出展望,从而为该体系中自陷激子的研究提供更加清晰的物理图像。

被害人自陷风险中刑事责任研究

被害人自陷风险又称为被害人危险接受,其主要面对和解决的问题是在过失犯罪中,被害人真实地认识和意识到风险的存在和发生,并出于真实的意思表达自愿陷入此风险中,或称自愿接受这种危险。被害人的介入行为是否会排除对行为人不法的评价,又是在何种层面和程度影响对行为人不法的排除。在行为人控制下的风险实现和被害人控制下的风险实现这两个基本类型中,行为人承担着不同的刑事责任。在我国的司法实践中,不仅仅是在交通肇事罪中应该考虑被害人自我答责,在其他类型的案件中也应该借鉴被害人自陷风险理论。

声子色散和磁场对极性晶体中极化子自陷能的影响

利用线性组合算符和幺正变换相结合的方法,研究了声子色散和磁场对极性晶体中极化子振动频率和自陷能的影响。计及纵光学(LO)声子色散,在抛物近似下导出了极性晶体中极化子自陷能随电子-纵光学声子耦合常数、回旋共振频率和声子色散系数之间的变化关系。数值计算结果表明极化子自陷能随电子-纵光学声子耦合常数、回旋共振频率和声子色散系数的增大而增大。

对称量子阱中极化子的有效质量和自陷能

采用变分微扰法,对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究.考虑到阱对于电子波函数的量子限制效应和界面声子的影响,计算了各支声子与电子相互作用对自陷能的贡献,讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系,进一步说明了量子阱的尺度效应和界面声子作用的重要性.

基于刑法中的被害人自陷风险研究

刑法是维护社会秩序和保护公民权益的重要法律,其中被害人自陷风险备受社会各界的广泛关注.被害人自陷风险指的是在危险现实化造成法益侵害结果的场合,被害人只对危险表示认可,排斥法益侵害的结果,其所要问的是能否因为被害人自陷风险而影响行为人的不法,如果承认可以影响不法,要对其根据进行深入探讨.鉴于此,结合被害人自陷风险的内涵,探讨基于刑法中的被害人自陷风险的成立条件,具体阐述基于刑法中的被害人自陷风险理论检验.