大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术

提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板。采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mm×4.5 mm。在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA。当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20 W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08%,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W。