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Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)透明陶瓷烧结过程的动力学研究
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作者 汪开强 杨康 +3 位作者 靖正阳 陈博文 涂兵田 王皓 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第11期1972-1980,共9页
尖晶石型Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)是优秀的介电和长余辉基体材料,透明陶瓷的制备有望扩大其应用领域。本文对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷的无压烧结动力学进行研究,结果表明Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷烧结过程的... 尖晶石型Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)是优秀的介电和长余辉基体材料,透明陶瓷的制备有望扩大其应用领域。本文对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷的无压烧结动力学进行研究,结果表明Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷烧结过程的致密化和晶粒生长均由O 2-晶界扩散控制,其烧结中期的致密化活化能为(426±35)kJ/mol,烧结末期的晶粒生长活化能为(439±14)kJ/mol。通过将烧结工艺参数控制在“烧结窗口”中,获得了良好的无压烧结体显微结构。经过高温热等静压处理后得到Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)透明陶瓷,其光学透过范围为0.3~9μm,在2.5μm处直线透过率达到81.2%。 展开更多
关键词 Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)尖晶石 透明陶瓷 烧结路径 致密化活化能 晶粒生长活化能 光学透明性
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