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Nor-Flash技术中HDP CVD制程能力的改善及其工艺稳定性研究
被引量:
1
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作者
倪立华
陆神洲
张守龙
《集成电路应用》
2018年第9期28-33,共6页
以Nor-Flash平台HDP CVD制程在工艺转移过程中所出现的良率损失(良率指标A,Index-A失效)问题为研究对象,从CVD工艺角度探索解决方案,通过实验设计及结果分析,创新性地提出在高刻蚀沉积比条件下沟槽保形生长的失效模型,并在此基础上有针...
以Nor-Flash平台HDP CVD制程在工艺转移过程中所出现的良率损失(良率指标A,Index-A失效)问题为研究对象,从CVD工艺角度探索解决方案,通过实验设计及结果分析,创新性地提出在高刻蚀沉积比条件下沟槽保形生长的失效模型,并在此基础上有针对性地优化和调整工艺参数。经实验证明,改良后的HDP CVD制程能有效解决Index-A失效问题,满足大生产的需要。
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关键词
集成电路制造
良率损失
HDP
CVD
工艺控制
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职称材料
题名
Nor-Flash技术中HDP CVD制程能力的改善及其工艺稳定性研究
被引量:
1
1
作者
倪立华
陆神洲
张守龙
机构
上海华力微电子有限公司
出处
《集成电路应用》
2018年第9期28-33,共6页
基金
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204)
文摘
以Nor-Flash平台HDP CVD制程在工艺转移过程中所出现的良率损失(良率指标A,Index-A失效)问题为研究对象,从CVD工艺角度探索解决方案,通过实验设计及结果分析,创新性地提出在高刻蚀沉积比条件下沟槽保形生长的失效模型,并在此基础上有针对性地优化和调整工艺参数。经实验证明,改良后的HDP CVD制程能有效解决Index-A失效问题,满足大生产的需要。
关键词
集成电路制造
良率损失
HDP
CVD
工艺控制
Keywords
IC manufacturing
yield loss
HDP CVD
process control
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
Nor-Flash技术中HDP CVD制程能力的改善及其工艺稳定性研究
倪立华
陆神洲
张守龙
《集成电路应用》
2018
1
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