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Nor-Flash技术中HDP CVD制程能力的改善及其工艺稳定性研究 被引量:1
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作者 倪立华 陆神洲 张守龙 《集成电路应用》 2018年第9期28-33,共6页
以Nor-Flash平台HDP CVD制程在工艺转移过程中所出现的良率损失(良率指标A,Index-A失效)问题为研究对象,从CVD工艺角度探索解决方案,通过实验设计及结果分析,创新性地提出在高刻蚀沉积比条件下沟槽保形生长的失效模型,并在此基础上有针... 以Nor-Flash平台HDP CVD制程在工艺转移过程中所出现的良率损失(良率指标A,Index-A失效)问题为研究对象,从CVD工艺角度探索解决方案,通过实验设计及结果分析,创新性地提出在高刻蚀沉积比条件下沟槽保形生长的失效模型,并在此基础上有针对性地优化和调整工艺参数。经实验证明,改良后的HDP CVD制程能有效解决Index-A失效问题,满足大生产的需要。 展开更多
关键词 集成电路制造 良率损失 HDP CVD 工艺控制
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