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题名不断发展中的IGBT技术概述
被引量：20
- 1
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作者
周文定
亢宝位
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机构
北京工业大学
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出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2007年第9期115-118,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60676049)~~
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文摘
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
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关键词
半导体元器件
晶闸管
芯片/沟槽栅
绝缘栅双极晶体管
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Keywords
semiconductor device
thyristor
chip/trench gate
insulated gate bipole transistor
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分类号
TN32
[电子电信—物理电子学]
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题名不断发展中的IGBT技术概述
被引量：6
- 2
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作者
周文定
亢宝位
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机构
北京工业大学
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出处
《中国集成电路》
2009年第1期23-28,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60676049)
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文摘
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
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关键词
半导体元器件
晶闸管
芯片/沟槽栅
绝缘栅双极晶体管
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Keywords
semiconductor device
thyristor
chip / trench gate
insulated gate bipole transistor
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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