芯片倒装封装中焊球及铜互连对高速差分信号传输特性影响的仿真研究

焊球与铜互连是芯片倒装封装中两种主要的互连结构,而随着数字电路时钟频率的不断提升,差分信号已成为高速数字电路中最常用的信号形式。采用HFSS全波仿真方法对芯片倒装封装中高速差分信号在差分对焊球和铜互连结构中的传输特性进行了研究。首先在理想情况下对差分对焊球结构进行了建模,分析了焊球阵列中焊球的尺寸和节距参数对差分信号传输特性的影响,发现在假定焊球节距为焊球直径2倍的情况下,现阶段常用的直径为0.1-1.27 mm的焊球中焊球尺寸和节距越小越能在宽频段内实现更好的传输性能。其次对平行式和内弯式、外弯式非平行差分铜互连结构进行了对比研究,发现平行式结构优于内弯式非平行结构,内弯式非平行结构优于外弯式非平行结构。

倒装芯片封装技术概论

高密度电子封装正朝着小型化、高I/O密度、更好的散热性和高的可靠性方向发展,传统引线键合技术已经无法满足要求。先进的倒装芯片封装技术由于具有较高的单位面积内I/O数量、短的信号路径、高的散热性、良好的电学和热力学性能,在电子封装中被广泛关注。底部填充胶被填充在芯片与基板之间的间隙,来降低芯片与基板热膨胀系数不匹配产生的应力,提高封装的稳定性。然而,流动底部填充胶依赖于胶的毛细作用进行填充,存在很多缺点。为了克服这些缺点,出现了非流动底部填充胶,以改善倒装芯片底部填充工艺。文章回顾了倒装芯片封装技术的发展,阐述了流动和非流动底部填充胶的施胶方式和性质。

芯片封装互连新工艺热超声倒装焊的发展现状

介绍了一种芯片封装互连新工艺热超声倒装芯片连接工艺。在比较当前多种芯片封装方式的基础上,总结了这一工艺的特点及优越性,并详细论述了当前这一工艺的技术进展与理论研究状况,指出该工艺是芯片封装领域中具有发展潜力的新工艺。

倒装芯片封装技术的凸点、压焊及下填充

简要叙述了IBM公司的倒装片技术,包括凸点形成技术、压焊技术和下填充技术,并展望了倒装片技术的发展前景。

倒装芯片封装电迁移失效仿真研究

随着电子封装发展趋于微型化,由倒装芯片封装的电迁移失效而引起的可靠性问题日益严重。运用ANSYS软件建立了倒装芯片三维封装模型,仿真计算得到电-热-力多物理场耦合下互连结构的温度分布、电流密度分布、焦耳热分布和应力分布,深入研究了焊球材料和铜布线结构及铜布线尺寸对电迁移失效的影响,结果表明优化后的电流密度缩小了4倍,电迁移失效寿命提高了8.4倍。

倒装芯片封装极具竞争力

随着倒装芯片封装在成本和性能上的不断改进,加上键合金线价格的不断攀升,从手机到游戏机芯片的各种应用领域里,倒装芯片技术都变得更具竞争力。

宇航用非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA质量保证技术分析

通过理论分析以及对国内外相关质量保证标准和论文分析,系统地介绍了非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA产品的结构特点,分析了非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA产品的封装评价要求、筛选试验以及鉴定检验要求,对于解决未来国产高密度非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA产品的质量保证技术问题具有一定的指导意义。

道康宁推出新型上盖密封粘着剂支持快速成长的倒装芯片封装应用

全球材料、应用技术及服务的供应商一美国道康宁公司日前宣布推出DOW CORNING EA-6700微电子粘着剂，这种新型上盖密封材料(lid-seal materiall具备独特的化学成份，最适合新一代倒装芯片(flip．chip)封装。EA-6700是道康宁不断大扩大的封装材料产品系列中最新推出的粘着剂。

日本友华开发出高亮度LED倒装芯片封装用高散热基板

日本友华公司（YOKOWO）2013年4月4日宣布，该公司面向高亮度LED芯片开发出了用于倒装芯片封装的高散热封装基板。通常，高亮度LED只有25％的能量转换成光，其余能量转变成热量。温度越高，LED的发光效率就越低，因此需要提高封装的散热性能。以前使用的陶瓷基板由于倒装芯片封装面的平坦度低，

安可与TI共同开发出采用铜柱凸点的倒装芯片封装

美国安可科技（Amkor Technology）与美国德州仪器（TI）宣布，共同开发出了利用窄间距铜柱凸点连接芯片与封装底板的倒装芯片封装，并已开始生产。

基于倒装芯片焊球阵列封装的高速串行器/解串器接口的信号完整性分析与优化

串行器/解串器接口是一种高速率的串行数字接口。高度定制化的串行器/解串器接口的通道数据速率可达到28吉比特每秒或更高。在本文中,研究了用于高速网络数据传输应用的28吉比特每秒串行器/解串器接口倒装芯片封装设计对信号传输质量的影响。使用Cadence的3D-EM电磁场仿真工具来实现多层倒装芯片封装基板的信号完整性分析与设计优化,以获得最佳的插入和回波损耗。另外,本文还研究了在芯片封装级别影响串行器/解串器接口信号传输性能的因素以及控制信号传输质量的方法。

倒装芯片封装逆势增长 12英寸凸块设备为重点市场

受到半导体景气衰退影响,全球封装厂产能利用率自2000年的高点一路下滑,许多IDM厂开始停止后段封测产能的扩充,然而由于产品的设计仍持续向高效能方向演进,因此对于高端封装技术的需求持续提升。为应对IDM发出的高端封装订单,专业封装厂在倒装芯片、堆栈与系统化封装上大举加码,整体产能利用率也维持在9成的高水平。

采用01005倒装芯片封装的单向ESD保护器件

该新系列三款单向TVS二极管阵列产品均采用01005（0．230mm×0．430mm）倒装芯片封装。单向保护性能通常优于双向保护，特别是在正常工作通常不传输零伏电压的逻辑和数据线应用上。

利用切削技术实现半导体芯片的平坦化 面向倒装芯片封装等领域

富士通Integrated Microtechnology开发出了面向半导体芯片倒装封装的焊接技术，在正于东京有明国际会展中心（Bigsight）举行的“半导体封装技术展”上进行了展板展示。该技术在焊接面上使用切削平坦化技术，设想面向芯片BGA封装及片上片（CoC）等领域。该技术与富士通研究所联合开发，目标是2～3年后投入使用。

倒装芯片基板缺货状况恐将延续至2005上半年

业界消息，市场对倒装芯片封装需求涌现，但台湾四大倒装芯片基板供货商日月宏、全懋、华通、南亚电路板等，却因在短期内难以提升产能而无法纾解目前倒装芯片基板缺货问题，因此倒装芯片基板价格确定调涨一至二成，而订单应接不暇的厂商认为缺货情况将延续至2005年上半年。

应用于倒装芯片的铜钉头凸点技术

铜钉头凸点技术可以为中低I／O密度的器件提供成本最低的倒装芯片封装。

倒装芯片基板缺货状况将延续

市场对倒装芯片封装需求涌现。但台湾四大倒装芯片基板供货商日月宏、全懋、华通、南亚电路板等。却因在短期内难以提升产能而无法纾解目前倒装芯片基板缺货问题。因此倒装芯片基板价格确定调涨一至二成，而订单应接不暇的厂商认为缺货情况将延续至2005年上半年。

芯片—封装协同设计方法优化SoC设计

随着工艺节点和裸片尺寸不断缩小，采用倒装芯片封装IC器件的消费电子产品的数量日益增加。但是，倒装芯片封装制造规则还没有跟上工艺技术发展的步伐。本文介绍了用芯片一封装协同设计方法优化SoC的过程。

MEMS封装技术研究进展

介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。