芯片偏置对散热器倾斜程度影响分析

采用有限元分析方法,仿真分析多种芯片偏心位置及散热器倾斜状况,比较散热器倾斜程度,优化芯片最佳的偏置位置,为芯片摆放提供最优建议。通过不同芯片位置对散热器倾斜程度影响的分析,得出以下结论:芯片向正上方偏移时,散热器的倾斜程度与芯片偏置距离呈线性关系。故芯片偏置距离越小,散热器的倾斜程度越小;向上偏置一定距离后,还需再向左或向右偏置的话,都会增加散热器的倾斜程度;芯片斜置时,平衡芯片几何中心至2个固定孔的距离,使芯片至2个固定孔距离差最小,可使散热器倾斜程度最小。

用于50 V、1 000 W GaN功率放大器的电源调制器

针对50 V、1000 W GaN功率放大器对电源调制器模块的需求,设计了一款电源调制器模块。该调制器模块全部选用河北新华北集成电路有限公司自研芯片和器件进行设计,其中包括一款50 V集成负压使能的高压N沟道MOSFET驱动器作为关键控制器件,一款120 V高压N沟道MOSFET并联作为调制开关,一款可调负压偏置芯片为功率放大器提供栅极偏置电压。此方案能够覆盖14~70 V工作电压范围、60 A以内负载能力的应用需求,最大输出功率可达4000 W。模块内部芯片采用封装器件,结构上采用金属密封盒体设计,满足气密性要求,保证可靠性。经试验验证,该模块在50 V工作电压下为功率放大器提供漏极调制电压及栅极偏置电压功能、性能良好,且栅、漏电压上电时序可控,输出上升时间和下降时间分别为12.3 ns和38.4 ns,符合设计预期。