高速IC芯片内互连线频变参数的有效提取方法

采用二维时域有限差分（２Ｄ－ＦＤＴＤ）法精确计算了高速集成电路芯片内互连线的频变等效电路参数．有耗吸收边界条件和非均匀渐变网格技术的提出和应用减少了空间网格的数目，用时间序列预测的方法来预测时域信号或提取传输线频域参数大大减少了ＦＤＴＤ模拟时间，明显提高了计算效率．传输线特性的计算考虑了导体和硅基片损耗，计算结果与其他方法及测量结果比较，一致性较好．

芯片内互连线电阻和电感频变分布参数提取

本文使用导体截面矩量法提取芯片内互连线电阻和电感频变分布参数。根据芯片内多接地导体的情况重新推导了公式 ,实现了对算法的改进。研究了硅衬底导电率变化对金属绝缘半导体传输线的分布电阻和分布电感参数的影响。通过两个例子的计算 ,证明算法可应用于芯片内互连线参数提取。

芯片内互连线计算中的一种算法实现

文章解决了将“变方向隐式方法的三维时域有限差分法”(3D AD I-FDTD)应用于高速芯片内互连线的电磁场计算中很多关键问题,包括源的产生方案及其数值结构,具体边界吸收条件的差分格式。特别是针对芯片互连线中的多层介质、多导体线的结构,提出了稀疏的矩阵模型和可变网格的划分。数值实验表明,对原有AD I-FDTD方法所做的这些改进,能够在保证适当精度的情况下提高计算速度。