期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于缓存机制的NAND FLASH XIP存储系统
1
作者
郝记生
张曦煌
《计算机工程与设计》
CSCD
北大核心
2007年第13期3175-3177,F0003,共4页
NAND闪存存储器已经成为嵌入式系统中非常重要的组成部分,在各种嵌入式产品中有广泛的应用前景,但NAND闪存存储器目前主要用来数据存储,并不能像NORFLASH一样以XIP(execute-in-place,芯片内执行)方式执行代码。针对目前3G应用通讯的特点...
NAND闪存存储器已经成为嵌入式系统中非常重要的组成部分,在各种嵌入式产品中有广泛的应用前景,但NAND闪存存储器目前主要用来数据存储,并不能像NORFLASH一样以XIP(execute-in-place,芯片内执行)方式执行代码。针对目前3G应用通讯的特点,通过引入缓存机制实现了具有XIP功能的NAND FLASH存储系统,这样大降低了系统的成本,最后根据实验得出结果与其它的存储架构作了比较。
展开更多
关键词
闪存存储器
芯片内执行
缓存
存储架构
嵌入式系统
下载PDF
职称材料
高速串行Flash控制器的设计与实现
被引量:
6
2
作者
闵嘉维
王亚刚
+1 位作者
焦继业
龚锋
《信息技术》
2018年第7期148-150,161,共4页
传统Flash控制器的验证周期长、读写速度慢,针对此缺点,文中提出四线串行接口Flash控制器对数据进行读写操作。利用在芯片内执行(XIP)的模式进行四线串行接口控制器的间接读写操作,提高数据传输的速率并缩短验证周期。在Xilinx XC7K410T...
传统Flash控制器的验证周期长、读写速度慢,针对此缺点,文中提出四线串行接口Flash控制器对数据进行读写操作。利用在芯片内执行(XIP)的模式进行四线串行接口控制器的间接读写操作,提高数据传输的速率并缩短验证周期。在Xilinx XC7K410T的FPGA开发板上实现高速串行Flash控制器的数据传输。结果表明采用四线串行Flash可以提高数据的传输速率,符合CPU的执行需求。
展开更多
关键词
四线串行接口
芯片内执行
间接读写
FPGA
下载PDF
职称材料
NAND和NOR flash技术设计师在使用闪存时需要慎重选择
被引量:
3
3
作者
ARIETAL
《今日电子》
2002年第4期12-13,共2页
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一...
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
展开更多
关键词
非易失闪存技术
芯片内执行
单元密度
性能比较
NAND
NOR
FLASH技术
下载PDF
职称材料
题名
基于缓存机制的NAND FLASH XIP存储系统
1
作者
郝记生
张曦煌
机构
江南大学信息工程学院
出处
《计算机工程与设计》
CSCD
北大核心
2007年第13期3175-3177,F0003,共4页
文摘
NAND闪存存储器已经成为嵌入式系统中非常重要的组成部分,在各种嵌入式产品中有广泛的应用前景,但NAND闪存存储器目前主要用来数据存储,并不能像NORFLASH一样以XIP(execute-in-place,芯片内执行)方式执行代码。针对目前3G应用通讯的特点,通过引入缓存机制实现了具有XIP功能的NAND FLASH存储系统,这样大降低了系统的成本,最后根据实验得出结果与其它的存储架构作了比较。
关键词
闪存存储器
芯片内执行
缓存
存储架构
嵌入式系统
Keywords
flash memory
XIP
cache
memory architecture
embedded system
分类号
TP316 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
下载PDF
职称材料
题名
高速串行Flash控制器的设计与实现
被引量:
6
2
作者
闵嘉维
王亚刚
焦继业
龚锋
机构
西安邮电大学计算机学院
出处
《信息技术》
2018年第7期148-150,161,共4页
文摘
传统Flash控制器的验证周期长、读写速度慢,针对此缺点,文中提出四线串行接口Flash控制器对数据进行读写操作。利用在芯片内执行(XIP)的模式进行四线串行接口控制器的间接读写操作,提高数据传输的速率并缩短验证周期。在Xilinx XC7K410T的FPGA开发板上实现高速串行Flash控制器的数据传输。结果表明采用四线串行Flash可以提高数据的传输速率,符合CPU的执行需求。
关键词
四线串行接口
芯片内执行
间接读写
FPGA
Keywords
quad serial peripheral interface
execute In Place
indirect reading and writing
FPGA
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
NAND和NOR flash技术设计师在使用闪存时需要慎重选择
被引量:
3
3
作者
ARIETAL
机构
M-Systems公司
出处
《今日电子》
2002年第4期12-13,共2页
文摘
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
关键词
非易失闪存技术
芯片内执行
单元密度
性能比较
NAND
NOR
FLASH技术
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于缓存机制的NAND FLASH XIP存储系统
郝记生
张曦煌
《计算机工程与设计》
CSCD
北大核心
2007
0
下载PDF
职称材料
2
高速串行Flash控制器的设计与实现
闵嘉维
王亚刚
焦继业
龚锋
《信息技术》
2018
6
下载PDF
职称材料
3
NAND和NOR flash技术设计师在使用闪存时需要慎重选择
ARIETAL
《今日电子》
2002
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部