集成电路芯片湿法去层技术研究

对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层芯片的可观察性和可测试性，芯片湿法去层技术是芯片失效分析的重要技术手段。主要介绍芯片失效分析中用于去除钝化层、金属化层、层间介质层等去层方法的原理以及优缺点，通过实验确定去层各种膜层的参数设置。通过文中提出的方法，可以满足大部分情况下对芯片各个膜层进行观察的需要。

集成电路芯片湿法去层技术研究

随着集成电路行业发展,芯片去层技术在芯片失效分析方面应用越来越广泛,在集成电路测试等领域发挥着重要的作用。本文着重探究了集成电路芯片湿法去层技术,针对芯片失效具体情况,探讨了去除钝化层、金属化层、层间介质层等不同方法的具体原理和适用领域,提出了具体的对策建议,以供参考。

ESD与短脉冲EOS失效的微观形态分析及验证

静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等成像仪器以及芯片去层处理技术分析这两种失效机理的差别非常重要。通过实例分析这两种失效的机理及微观差别,从理论角度解释ESD和EOS的失效机理,分析这两种失效在发生背景、失效位置、损坏深度和失效路径方面的差异,同时对这两种失效进行模拟验证。这种通过失效微观形态进行研究的方法,可以实现失效机理的甄别,对于提高ESD防护等级和EOS防护能力有着重要的参考作用。