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超薄化芯片
被引量:
20
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作者
王仲康
《电子工业专用设备》
2006年第11期13-18,共6页
芯片的超薄化发展,正在逐步整合半导体材料加工设备及其相应工艺。简要概述了芯片超薄化发展之动态,并以超薄芯片的减薄加工为中心,综合研究了影响超薄芯片机械特性、表面质量的主要因素,讨论了超薄晶圆片的最新加工技术。
关键词
超薄
芯片
损伤层
粗糙度
总厚度误差(TTV)
芯片强度崩边
背面减薄
延性域.
下载PDF
职称材料
题名
超薄化芯片
被引量:
20
1
作者
王仲康
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2006年第11期13-18,共6页
文摘
芯片的超薄化发展,正在逐步整合半导体材料加工设备及其相应工艺。简要概述了芯片超薄化发展之动态,并以超薄芯片的减薄加工为中心,综合研究了影响超薄芯片机械特性、表面质量的主要因素,讨论了超薄晶圆片的最新加工技术。
关键词
超薄
芯片
损伤层
粗糙度
总厚度误差(TTV)
芯片强度崩边
背面减薄
延性域.
Keywords
Ultra-thin wafers
SSD
Roughness
TTV
Strength of die
Chipping
Backside grinding
Ductile-brittle transition value
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
超薄化芯片
王仲康
《电子工业专用设备》
2006
20
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