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基于TRL的3mm波段变容二极管对建模方法
1
作者
安大伟
于伟华
吕昕
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期1180-1184,共5页
本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建立了精确的3mm波段二极管对电路模型.采用TRL算法,通过拟合初...
本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建立了精确的3mm波段二极管对电路模型.采用TRL算法,通过拟合初始二极管S参数曲线和TRL测试参数确定芯片电路模型中各集总参数元件数值.二极管对在片各项测试结果和基于改进的电路模型仿真结果相吻合.该二极管对电路模型建模方法可应用于毫米波亚毫米波混频倍频电路的准确分析与设计.
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关键词
GaAs变容二极管
芯片电路模型
不连续性
毫米波
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职称材料
题名
基于TRL的3mm波段变容二极管对建模方法
1
作者
安大伟
于伟华
吕昕
机构
中国气象局国家卫星气象中心
北京理工大学信息与电子学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期1180-1184,共5页
基金
国家自然科学基金(No.41105009)
国家"973"计划(No.2010CB327505)
文摘
本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建立了精确的3mm波段二极管对电路模型.采用TRL算法,通过拟合初始二极管S参数曲线和TRL测试参数确定芯片电路模型中各集总参数元件数值.二极管对在片各项测试结果和基于改进的电路模型仿真结果相吻合.该二极管对电路模型建模方法可应用于毫米波亚毫米波混频倍频电路的准确分析与设计.
关键词
GaAs变容二极管
芯片电路模型
不连续性
毫米波
Keywords
CaAs Varactor diode
chip circuit model
discontinuity
millimeterwave
分类号
TN312.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于TRL的3mm波段变容二极管对建模方法
安大伟
于伟华
吕昕
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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