252kV四级污秽棒形支柱瓷绝缘子花釉缺陷原因分析及解决方法探讨

对比分析了干法生产的252kV四级和三级污秽棒形支柱瓷绝缘子的工艺特点,认为四级污秽棒形支柱瓷绝缘子产生花釉缺陷的原因是:伞间距小、伞伸出大,施釉操作时坯体旋转,伞根部位暴露不完全,釉浆很难喷到伞根部位。在保证产品机械性能、电气性能和冷热性能的前提下,将大伞根厚度由22.67 mm减小到17.61 mm,小伞根厚度由20.07 mm减小到15.66mm,大伞与小伞之间杆径直线距离增加2.64mm、小伞与大伞之间杆径直线距离增加2.69mm,两伞之间距离由67.76mm增加为70.11mm;爬电距离增加(用一组伞作为对比)5.61mm;杆径未变化;伞间最小距离70.11mm;伞间距和伞伸出之比0.926;大小伞伸出之差17.5 mm;伞倾角17°。实验证明伞形结构优化后,为施釉操作创造了条件,瓷检合格率明显提高,较好地解决了花釉缺陷问题。