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物质中芳环堆积的正确表达方式
1
作者
王筱慧
杨倩
聂晶晶
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期2228-2232,共5页
通过一些晶体结构的实例指出,目前广泛采用的质心距小于0.4 nm的判据,在许多情况下并不能正确反映物质中的芳环堆积现象.为了正确判断在平行的芳香化合物之间是否存在近距离的芳环堆积现象,通过理论推算,给出了合理的判断依据:环平面的...
通过一些晶体结构的实例指出,目前广泛采用的质心距小于0.4 nm的判据,在许多情况下并不能正确反映物质中的芳环堆积现象.为了正确判断在平行的芳香化合物之间是否存在近距离的芳环堆积现象,通过理论推算,给出了合理的判断依据:环平面的间距显著小于0.36 nm的范德华厚度,相邻芳环在平面法线方向的投影相互重叠或部分重叠,以上两者需同时满足.晶体学采用的是以晶胞为基础的斜坐标系,为了正确计算斜坐标系中平行平面的间距,利用转换矩阵,将斜坐标转换成归一化的笛卡儿坐标,在此基础上得出平行芳环之间面间距的正确计算方法.
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关键词
芳
环
堆积
芳环堆积的判据
质心距
平面间距
投影重叠
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职称材料
题名
物质中芳环堆积的正确表达方式
1
作者
王筱慧
杨倩
聂晶晶
机构
浙江建设职业技术学院基础部
浙江大学化学系
出处
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期2228-2232,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(20443003)
文摘
通过一些晶体结构的实例指出,目前广泛采用的质心距小于0.4 nm的判据,在许多情况下并不能正确反映物质中的芳环堆积现象.为了正确判断在平行的芳香化合物之间是否存在近距离的芳环堆积现象,通过理论推算,给出了合理的判断依据:环平面的间距显著小于0.36 nm的范德华厚度,相邻芳环在平面法线方向的投影相互重叠或部分重叠,以上两者需同时满足.晶体学采用的是以晶胞为基础的斜坐标系,为了正确计算斜坐标系中平行平面的间距,利用转换矩阵,将斜坐标转换成归一化的笛卡儿坐标,在此基础上得出平行芳环之间面间距的正确计算方法.
关键词
芳
环
堆积
芳环堆积的判据
质心距
平面间距
投影重叠
Keywords
aromatic stacking
criterion for aromatic stacking
centroids distance
face-to-face separation
overlapped project
分类号
TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
物质中芳环堆积的正确表达方式
王筱慧
杨倩
聂晶晶
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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