^(60)钴—γ射线诱发突变改良苦荞的研究

采用^(60)钴-γ射线100-800Gy 对苦荞的4个品种进行辐射处理,处理结果表明,随着剂量的增加苦荞的幼苗高度和根系生长逐渐受到抑制。辐射处理在700-800Gy 内苦荞的幼苗生长受到显著的影响,而100-200Gy 的处理对苦荞的影响不大。辐射种子能够引起苦荞多个性状发生变异,但在100-200Gy 突变频率很低,而在300-600Gy 内,随着剂量的增加突变频率则逐渐增加。根据处理结果,最适宜的剂量是300-600Gy。辐射处理导致苦荞黄酮含量发生改变,并可以从中选择到高黄酮含量的突变型。此外,通过选择还获得了高抗落粒性、较高黄酮含量和适宜生育期的突变型"5-2-62"。