镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响

由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。

8英寸SiC晶圆制备与外延应用

碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一,近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升,其应用领域不断扩大。目前SiC芯片的制备仍然以6英寸(1英寸=25.4 mm)晶圆为主,但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸SiC晶圆的下一代器件和芯片。本研究联合国内SiC产业链上、下游龙头企业,推进8英寸SiC芯片国产研发,尤其是关键的晶圆制备和外延应用环节。本文采用扩径生长法制备了8英寸导电型4H-SiC衬底晶圆,其平均基平面位错(BPD)密度低至251 cm^(-2),平均螺位错(TSD)密度小于1 cm^(-2),实现了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸导电型4H-SiC衬底晶圆的制备,可以满足生产需要。采用国产8英寸外延设备和开发工艺包,实现了速率为68.66μm/h的快速外延生长,厚度不均匀性为0.89%,掺杂不均匀性为2.05%,这两个指标已经达到了优良6英寸外延膜的水平,完全可以满足生产需要。与国外已发布的8英寸外延结果对比,厚度和掺杂均匀性均优于国外数据,而缺陷密度只有国外数据的1/4。本文设计和实施了多片重复性试验,验证了8英寸外延的稳定性。

8英寸铌酸锂晶体生长研究

铌酸锂单晶薄膜(LNOI)在新一代信息技术中关键通信器件领域的作用日益显著,随着铌酸锂单晶薄膜制备技术和光子集成技术的发展,降低芯片成本、增加芯片集成度是光子集成芯片永恒不变的发展方向,因此迫切需求大尺寸铌酸锂晶体。本文讨论了大尺寸坩埚中熔体自然对流随着液面下降的变化规律,研究了8英寸(1英寸=2.54 cm)铌酸锂Z轴、X轴两个提拉方向的生长特点,获得等径尺寸大于φ210 mm×50 mm的8英寸Z轴、X轴铌酸锂晶体。1 mm厚X轴铌酸锂晶圆的透过率显示波长380~3 300 nm光谱的透过率超过了70%,晶片纹影图像显示晶体中存在折射率脉理缺陷。

8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征

本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻率测试、光致发光测试和晶圆表面缺陷检测等对8英寸GaAs衬底的晶体质量、位错、电学性能和表面质量等特性进行了测试分析。结果表明:衬底(400)衍射峰半峰全宽低于0.009°;平均位错密度低于30 cm^(-2),其中,晶体头部平均位错密度为1.7 cm^(-2),且有98.87%的面积位错密度为0;衬底面内电阻率标准差小于6%,面内光致发光强度标准差小于4%,≥0.2μm的表面光点缺陷(LPD)个数小于10。上述结果表明,所制备的8英寸GaAs衬底质量优异,满足外延器件对高质量衬底的要求。

8英寸晶圆低损耗厚氮化硅波导的工艺开发

在8英寸晶圆上制备氮化硅膜厚度超过400 nm时,产生的拉伸应力会使薄膜产生裂纹,为此,采用大马士革工艺,通过低压化学气相沉积分两步沉积、抛光氮化硅薄膜,同时结合棋盘格结构,减小应力,降低薄膜出现裂纹的风险。使用此方法成功在8英寸晶片上制造了截面尺寸为800 nm×0.8µm的氮化硅波导。两步沉积过后进行两次退火处理,可以进一步降低波导损耗,通过采用cut-back的方式测试波导传输损耗在1550 nm处为0.087 dB/cm,在1580 nm处为0.062 dB/cm。波导的弯曲损耗在半径为50µm时为0.0065 dB,在半径为80µm时仅为0.006 dB。

四英寸半导体含氟废水处理工程案例

江苏某半导体公司产生的含氟废水种类比较复杂,有低浓度含氟废水和高浓度含氟废水。为了达到处理要求,将高浓度废水单独处理,处理后的水用于配置氢氧化钙药剂,然后和低浓度废水混合后再处理。低浓度含氟废水通过两级除氟达到污水综合排放标准中的三级排放标准。

基于8英寸的碳化硅单晶生长炉技术

碳化硅是制作高温、高频、大功率以及高压器件的理想材料之一。为提高生产效率并降低成本,大尺寸碳化硅衬底的制备是重要发展方向。针对8英寸碳化硅单晶生长的工艺需求,分析了碳化硅物理气相输运法生长机理,研究了碳化硅单晶生长炉的加热系统、坩埚旋转、工艺参数控制技术,通过热场模拟仿真分析和工艺试验,成功制备生长了8英寸晶体。

谁阻挡了17英寸LCD的主流之路？

近段时间液晶显示器（LCD）价格有所松动，而且15英寸和17英寸液晶显示器的价格差距也在逐步缩小，消费者为液晶显示器降价感到欣喜之余，又为购买什么样的尺寸犯了难。是买15英寸液晶显示器凑合着用呢？还是一步到位购买17英寸的呢？

6英寸高压晶闸管的研制

基于5英寸换流阀晶闸管的设计和工艺技术平台,通过优化杂质扩散工艺、光刻版设计和台面造型保护工艺,保证了掺杂分布的均匀性、重复性和可控性,以及器件良好的阻断特性,确保器件获得较高的电流上升率、电压上升率,研制出了6英寸4000A/8000V高压晶闸管样品。并采用电子辐照技术得到进一步优化,对器件的通态压降与反向恢复电荷的折衷关系。

4英寸低位错锗单晶生长

采用直拉法生长4英寸〈100〉低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求。

灵宝扩建工程6英寸换流阀的设计和试验

对灵宝扩建工程6英寸换流阀的设计、绝缘和运行试验进行了介绍,并给出了试验电路拓扑。灵宝扩建工程是世界上首次基于6英寸晶闸管换流阀将额定直流电流提升至4 500 A的工程实践。直流换流阀的设计是直流输电工程的关键技术之一,直接影响工程的安全可靠运行。

3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制

报道了采用物理气相传输（PVT）法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展，成功研制得到固态微波器件急需的3英寸（75mm）半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术，进行了3英寸（75mm）4H—SiC晶体生长的热场设计，并在此基础上研制出适合3英寸（75mm）4H．SiCPVT生长的晶体生长设备，采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试，结果均为单一的4H晶型，采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法测得晶片电阻率为10^9-10^12ΩQ·cm。微管道缺陷（MPD）测量采用熔融KOH腐蚀法，测得平均微管道密度为104个／cm。，其中晶片的30％区域微管道缺陷小于10个／cm2使用x射线双晶衍射测试得到其半高宽（FWHM）为31arcsec，说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性。

3英寸SiC衬底无架行星式双面抛光运动学分析

针对3英寸SiC衬底的精密抛光加工,设计了其无架行星式适应性双面抛光机构的几何模型.推导了抛光垫上任一点磨粒A 相对SiC 衬底的运动轨迹方程.利用C#和Matlab联合仿真对太阳轮、行星轮、齿圈以及抛光盘转速和运动轨迹的曲率等工艺参数进行了分析.基于ADAMS工具,进行了双面抛光的运动学仿真,得到了3英寸SiC衬底表面5点的位移、速度、加速度随时间变化的曲线.仿真结果表明,当齿圈和太阳轮转速比m =-1.25;抛光盘和太阳轮转速比n=1;磨粒分布半径（RA）适当增加时,磨粒在晶片上走过的轨迹范围增大;得到的抛光轨迹更加均匀.根据仿真的最优参数进行实验,机械抛光后获得了材料去除率（MRR）为1-2μm/h,表面粗糙度（Ra）小于2nm,总厚度变化（TTV）、弯曲度（BOW）、翘曲度（Warp）均小于15μm 的SiC衬底.验证了理论模型的正确性和虚拟样机的合理性.

4英寸套管技术在提高油田采收率方面的应用

方法 针对胡状集－庆祖集油田具体情况，开展下４英寸套管工艺技术研究。目的解决胡状集－庆祖集油田开采中暴露的问题：一是套管腐蚀加剧，破坏了注采并网；二是油水井射孔井段长，层间矛盾突出，中低渗透层动用较差．结果截止 １９９９年底，胡收集一庆祖集油田共在 １８口井（其中水井 １２口）中实施了下 ４英寸套管措施，均获得了成功。结论该工艺可提高油田的水驱动用储量，增加可采储量，具有较好的经济效益和社会效益，是提高老油田开发水平，提高油田采收率的有效措施之一。

5英寸锑化铟晶片加工及表征

锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段;采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨;通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度;通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时,使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明,采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片,能够满足InSb红外探测器制备需求。

8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法

8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。

三英寸表面线圈在磁共振颈动脉斑块成像中的应用

目的研究三英寸表面线圈应用于颈动脉斑块高分辨率MR成像的可行性及临床应用价值。方法对33例动脉粥样硬化的患者行MR成像（GE1.5T）。使用两个3英寸线圈分别至于两侧颈动脉分叉处。成像序列包括横断面双翻转T1WI、快速自旋回波T2WI、PDWI,及3DTOF序列。由两位医师共同评价每个序列的图像质量并综合四个序列进行斑块成分分析,斑块成分的分析进行评价者之间的一致性检验。结果按图像质量分级评价系统（1～5分,5分为最好）对两侧颈动脉分别进行评价,共评价了264个序列图像,图像质量评分≤2分的序列27个（占10.2%）。评分≥4分的序列147个（55.7%）。将含一个序列≤2分的检查排除,共50支血管可用于斑块成分分析,显示了斑块32个（20例患者）。其中明确有脂核16个,出血10个,破裂纤维帽5个,钙化15个,一致性检验Kappa值分别是0.81（95%CI：0.61to1.01）;0.86（0.66to1.04）;0.45（0.05to0.85）;0.87（0.70to1.00）。结论使用3英寸线圈进行颈动脉高分辨率磁共振成像可获得满意的图像质量,不同评价者进行斑块成分的分析具有较高的一致性,能够对斑块的组织成分作出较准确的判断。

19英寸CRT:距离主流还有多远?

纵观显示器市场过去几年来走过的路程,14英寸显示器早已不见了踪影,15英寸显示器也逐步被取代,17英寸纯平占据了市场的主流位置。显示器向大屏化发展的趋势日益明显,节奏也逐步加快。19英寸CRT显示器以其更大的可视面积和卓越的显示性能,正为越来越多用户所接受。

宽享天下 最新22英寸宽屏幕液晶显示器

宽屏之风已经势不可挡，在微软Vista操作系统中，宽屏成为了标准配置。相对于传统比例为4：3的液晶显示器，比例为16：10的宽屏显示器已经成为了市场的主流。目前市场上的宽屏幕液晶显示器尺寸包括了17英寸、19英寸、20英寸、22英寸以及24英寸等，从技术角度和市场表现来看，22英寸宽屏幕液晶显示器将成为未来市场的主流，因此我们征集了目前最新的9款22英寸宽屏液晶显示器介绍队大家。