硒化锡/2H相碲化钼异质结的外延生长

具有原子光滑表面和特殊层间范德瓦尔斯耦合的二维层状材料的性质与传统材料不同。由于二维层状材料的清洁表面上没有悬空键,因此在晶圆上集成各种二维材料,可以丰富器件的功能。另外,经由二维材料的添加剂生长而形成异质结构,可以构建具有非常规性质的材料。两者都可以通过材料的转移来实现,但在转移的过程中要避免机械损伤或化学污染。高质量二维材料的直接生长通常需要高温,抑制添加剂的生长,或与不同的二维材料进行整体结合,近年来得到了广泛的研究,并有望在未来的集成电子学和光电子学中发挥关键作用。所使用的范德瓦尔斯积分技术,为将不同的二维材料甚至不同的晶体结构集成到异质结构中提供了一种可行的方法,也为探索具有新性能的新型人工材料提供了一个很有前途的平台。本文首次通过两步化学气相沉积的方法,成功地将二硒化锡纳米片与2H相的碲化钼薄膜结合成了p-n异质结。高分辨率透射电镜表征结果表明,多层二硒化锡纳米片垂直堆叠在具有高结晶度的2H相碲化钼薄膜上。材料的拉曼图谱也验证了SnSe_(2)/2H-MoTe_(2)异质结构的形成。