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非晶半导体中 S-W 效应的范氏键模型
1
作者
邹永庆
《淮北煤师院学报(自然科学版)》
1990年第2期36-38,共3页
本文给出了硅基非晶态半导体 Staeber-Wronski 效应(SWE)的范氏键模型,该模型认为硅基非晶态半导体的光致变化是网络内范氏键光致断裂引入的隙态所致。
关键词
半导体
非晶态
S-W效应
范氏键模
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职称材料
题名
非晶半导体中 S-W 效应的范氏键模型
1
作者
邹永庆
机构
淮北煤师院物理系
出处
《淮北煤师院学报(自然科学版)》
1990年第2期36-38,共3页
文摘
本文给出了硅基非晶态半导体 Staeber-Wronski 效应(SWE)的范氏键模型,该模型认为硅基非晶态半导体的光致变化是网络内范氏键光致断裂引入的隙态所致。
关键词
半导体
非晶态
S-W效应
范氏键模
Keywords
amorphous semiconducts
S-W effect
分类号
TN304.8 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
非晶半导体中 S-W 效应的范氏键模型
邹永庆
《淮北煤师院学报(自然科学版)》
1990
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