GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究

分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。

CdSe四脚状纳米晶粒的光荧光研究

采用高温微乳液的化学方法,在溶液中合成了高产率的CdSe四脚状纳米晶粒。高分辨透射电镜(HRTEM)分析结果表明,CdSe四脚状纳米晶粒是由1个立方的核心和4个六方的臂所组成。研究了该四脚晶粒的变激发功率光荧光(PL)谱和变温的PL谱,分析发现低温时四脚晶粒的光荧光主要来自于被表面缺陷所局域的激子的辐射复合,而随着温度升高,束缚激子被热激发,室温时光荧光主要来自于自由激子的贡献。CdSe纳米量子点的退局域化温度比四脚纳米晶粒的高,而12K时CdSe纳米量子点的局域化能量比四脚纳米晶粒的也大得多,并对这一现象作了解释。

橙红色ZnO-P_2O_5-Y_2O_3-Eu_2O_3玻璃的制备与荧光性能研究

采用高温熔融法制备了ZnO-P2O5-Y2O3-Eu2O3橙红色荧光玻璃,并利用粉末X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)等手段对合成的样品进行表征。结果表明:制备的物品为所需玻璃样品;其激发和发射光谱由一系列尖锋组成,最大激发峰位于395nm处;在395nm的激发下,其主要发射峰由590nm、610nm的2个尖峰组成,其中波长610nm处的特征发射最强,归属于Eu3+的5D0-7F2电偶极跃迁发射,表明Eu3+处于非反演对称中心格位。

光致发光液晶显示器(PLLCD)

介绍一种简单而又新颖的显示器结构 ,即所谓的光致发光液晶显示器(PLLCD)。PLLCD预示着 ,它将使现在的各种类型的 LCD在观看性能、多路寻址驱动特性和显示器效率方面发生质的变化。这种结构有可能给下一代发光型 LCD带来深远的影响。

外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。

垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究

在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm。

纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究

采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用.

快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究

分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱 (PL) ,细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S 型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理 ,结果发现退火有效地改善材料的发光特性 ,并且会造成S 型的转变温度降低 ,从而说明退火可以有效地减少局域态。

GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析

为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中"白斑"、"暗斑"的质量问题,从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样,分别进行了光荧光谱(PL)、二次离子质谱(SIMS)等测试。通过对这些测试结果进行综合分析,最终确定了造成产品出现"斑"现象的原因,通过改进工艺,向MOCVD用户提供了满足要求的砷化镓抛光片。

PbSe量子点掺杂玻璃的制备及表征

采用高温熔融法,经过两步热处理,成功制备了PbSe量子点（QD）掺杂的硅酸盐玻璃。当热处理温度为550℃、热处理时间为1-10 h时,X射线衍射（XRD）和透射电镜（TEM）测量表明,玻璃中,生成的PbSe QD平均尺寸为5-6 nm。随着热处理时间的延长（3-8 h）,玻璃中生成的PbSe QD尺寸增大。近红外荧光（PL）光谱测量发现,在1 064 nm激光照射下,这种QD掺杂的玻璃有强荧光辐射、半高全宽（FWHM）达300-550 nm和辐射峰位于1546-1644 nm区域等特点。制备得到的PbSe QD玻璃可直接拉制成光纤,成为超宽带、高增益和易与目前通用的SiO2光纤对接的新型光纤材料。

Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究

基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。

芴类衍生物有机电致发光器件中的激基复合物

利用紫外-可见光吸收光谱和荧光发光(PL)光谱,研究了新型芴类小分子材料2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-flu-oren-2-yl)-6,7-difluoroquinoxaline(F2Py)的本征光谱特性,并制备了基于F2Py的有机电致发光器件(OLEDs),讨论了器件的电致发光(EL)光谱。结果表明,F2Py在溶液状态下的本征PL峰值位于452 nm,在薄膜状态下的本征PL峰值位于448 nm,而F2Py与NPB的混合物的PL发光峰在544 nm。在器件的EL光谱中,观察到了位于530~550 nm范围的激基复合物发光峰,以及来自F2Py与NPB激子发光的共同作用形成的位于430nm左右的肩峰。当F2Py层厚度为50 nm时,器件的启亮电压为17 V,最高亮度为58 cd/m2;而当F2Py厚度为20 nm并加入了Alq3(10 nm)做电子传输层(ETL)时,器件启亮电压为8 V,最高亮度为5030 cd/m2,EL性能大大提高。