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橙红色ZnO-P_2O_5-Y_2O_3-Eu_2O_3玻璃的制备与荧光性能研究
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作者 王阳 《化工管理》 2015年第26期129-130,共2页
采用高温熔融法制备了ZnO-P2O5-Y2O3-Eu2O3橙红色荧光玻璃,并利用粉末X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)等手段对合成的样品进行表征。结果表明:制备的物品为所需玻璃样品;其激发和发射光谱由一系列尖锋组成,最大激发峰位于395nm处;在395nm... 采用高温熔融法制备了ZnO-P2O5-Y2O3-Eu2O3橙红色荧光玻璃,并利用粉末X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)等手段对合成的样品进行表征。结果表明:制备的物品为所需玻璃样品;其激发和发射光谱由一系列尖锋组成,最大激发峰位于395nm处;在395nm的激发下,其主要发射峰由590nm、610nm的2个尖峰组成,其中波长610nm处的特征发射最强,归属于Eu3+的5D0-7F2电偶极跃迁发射,表明Eu3+处于非反演对称中心格位。 展开更多
关键词 橙红色玻璃 X射线衍射(XRD) 荧光光谱(pl)
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外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究 被引量:4
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作者 李影智 邢艳辉 +3 位作者 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1084-1088,共5页
采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/... 采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(GaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(pl)光谱
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Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究 被引量:1
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作者 陈城钊 陈阳华 +3 位作者 黄诗浩 李成 赖虹凯 陈松岩 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期922-927,共6页
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃... 基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。 展开更多
关键词 能带工程理论 Ge/SiGe 量子阱 室温荧光(pl)光谱
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芴类衍生物有机电致发光器件中的激基复合物 被引量:2
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作者 张巍 于军胜 +2 位作者 李璐 蒋亚东 张清 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1145-1149,共5页
利用紫外-可见光吸收光谱和荧光发光(PL)光谱,研究了新型芴类小分子材料2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-flu-oren-2-yl)-6,7-difluoroquinoxaline(F2Py)的本征光谱特性,并制备了基于F2Py的有机电致发光器件(OLEDs),讨论了器件的电致发光(EL)光... 利用紫外-可见光吸收光谱和荧光发光(PL)光谱,研究了新型芴类小分子材料2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-flu-oren-2-yl)-6,7-difluoroquinoxaline(F2Py)的本征光谱特性,并制备了基于F2Py的有机电致发光器件(OLEDs),讨论了器件的电致发光(EL)光谱。结果表明,F2Py在溶液状态下的本征PL峰值位于452 nm,在薄膜状态下的本征PL峰值位于448 nm,而F2Py与NPB的混合物的PL发光峰在544 nm。在器件的EL光谱中,观察到了位于530~550 nm范围的激基复合物发光峰,以及来自F2Py与NPB激子发光的共同作用形成的位于430nm左右的肩峰。当F2Py层厚度为50 nm时,器件的启亮电压为17 V,最高亮度为58 cd/m2;而当F2Py厚度为20 nm并加入了Alq3(10 nm)做电子传输层(ETL)时,器件启亮电压为8 V,最高亮度为5030 cd/m2,EL性能大大提高。 展开更多
关键词 有机电致发光(EL) 芴类小分子 激基复合物 荧光发光(pl)光谱 吸收光谱
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Optical properties of ZnO thin films grown on diamond-like carbon by pulsed laser deposition 被引量:3
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作者 李少兰 张立春 +1 位作者 董艳锋 赵风周 《Optoelectronics Letters》 EI 2012年第6期445-448,共4页
ZnO/diamond-like carbon(DLC)thin films are deposited by pulsed laser deposition(PLD),and the room-temperature photoluminescence(PL)is investigated.Using a fluorescence spectrophotometer,we obtain the PL spectra of DLC... ZnO/diamond-like carbon(DLC)thin films are deposited by pulsed laser deposition(PLD),and the room-temperature photoluminescence(PL)is investigated.Using a fluorescence spectrophotometer,we obtain the PL spectra of DLC/Si and ZnO/Si thin films deposited at different substrate temperatures.The ZnO/DLC thin films show a broadband emission almost containing the entire visible spectrum.The Gaussian fitting curves of PL spectra reveal that the visible emission of ZnO/DLC thin films consists of three peaks centered at 381 nm,526 nm and 682 nm,which are attributed to the radiative recombination of ZnO and DLC,respectively.The Commission International de l,Eclairage(CIE)1931(x,y)chromaticity space of ZnO/DLC thin films indicates that the visible PL spectrum is very close to the standard white-light region. 展开更多
关键词 CARBON Curve fitting DEPOSITS LASERS Optical properties Pulsed laser deposition Zinc oxide
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