新颖的不对称荫罩式等离子体显示板的研究

本文讨论了一种新颖的不对称荫罩式等离子体显示板。在结构上,它与现有的荫罩式等离子体显示板(SMPDP)不同的是,荫罩上每个单元的后开口对称中心偏离其前开口对称中心。通过对4"实验板的制作、测试和分析,研究了不对称SMPDP的放电性能。并对不对称SMPDP的扫描电极进行优化,使其与现有的对称SMPDP相比,在放电强度、静态工作范围、寻址放电的速度、发光效率等方面有了较大提高。

高Xe混合气体对荫罩式等离子体显示器性能的影响

本文以提高荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的发光效率为目标,以7"小屏为实验平台,采用实验测试的方法研究了提高Xe浓度对着火电压、静态margin、单脉冲亮度和发光效率的影响。结果表明,Xe浓度的提高虽然增加了着火电压,但同时也加大了静态margin、提高了单脉冲亮度以及发光效率,因此不失为改进SM-PDP的发光效率和性能的良好途径。

Ne-Xe混合气体对荫罩式等离子体显示器放电影响的研究

本文使用7英寸荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的实验小屏,在真空系统上动态地改变混合气体中Xe浓度和气体压强,测量了着火电压、发射光光强、电子温度、电流、亮度和效率等参数,并分析了混合气体对(SM-PDP)放电的影响。结果表明,提高Xe浓度和气体压强虽然带来了着火电压的升高,但是同时也使得电流下降,亮度和效率大幅提高。通过提高Xe浓度和气体压强,导致电子和中性粒子的碰撞截面变大:一方面电子的碰撞几率增加,使得放电中电子温度降低,增加了基态Xe原子到低能级的直接激发;另一方面中性粒子的碰撞几率增加,使得173 nm的真空紫外线辐射增强,从而改善总的气体放电效率。

荫罩式等离子体显示板寻址放电延迟时间的研究

高氙浓度是提高等离体显示器亮度和发光效率的有效手段,但必须关注高氙比例对寻址放电延迟的影响。本文采用7英寸小屏实验平台研究氙比例增加对寻址放电延迟的影响,分析了氙比例增加,寻址电压和维持电压变化条件下,寻址放电的形成性延迟和统计性延迟的变化规律。研究结果表明寻址形成性延迟随寻址电压和维持电压的增加而减小,随氙比例的增加而增加,寻址形成性延迟时间与电子在一个平均自由程内获得的电场能量成反比。而寻址统计性延迟随寻址电压、维持电压的变化基本保持不变,随氙比例的变化规律性不明显,说明氙比例不是寻址统计性延迟的主要影响因素。研究表明荫罩式等离子体显示屏即使在50%氙比例时,仍可实现1.6μs的寻址。

荫罩式等离子体显示板条纹分布变化的研究

采用基于粒子-蒙特卡罗模型的OOPIC-PRO软件对荫罩式等离子体显示板(PDP)的放电进行模拟,研究扫描电极宽度、氖氙混合气体比例、气压等参数变化对主放电区域及条纹分布的影响,并与高速ICCD相机拍摄的条纹分布进行比较分析。模拟和实验结果表明:随着电极宽度增加,主放电区域增大,条纹区域减小,放电效率降低;随着氙比例和气压的升高,主放电区域减小,条纹区域增大,放电效率提高。研究结果揭示了PDP放电单元中条纹区域的粒子能量适宜激发产生辐射紫外光子的氙谐振态和激发态粒子,这对提高PDP的放电效率乃至发光效率尤为关键。

荫罩式等离子体显示板荧光粉制备的研究

本文以开发高分辨率荫罩式等离子体显示板(SMPDP)的荧光粉涂覆工艺为目的,采用丝网印刷法完成荫罩涂粉工艺。通过优化印刷图案及工艺参数,在200 mm×200 mm面积的0、.227×RGB×0.675规格、"品"字形单元分布的荫罩上,完成了红(R)、绿(G)、蓝(B)三色荧光粉的涂覆。并制备了4英寸显示屏,完成老化。

荫罩型等离子体显示屏老练测试仪

老练测试在研制荫罩型等离子体显示屏(SM PDP)过程中起着非常关键的作用。以往等离子体显示屏的老练只是一种单纯的点屏实验过程,而基于SM PDP的特点所研制的老练测试仪则兼顾了老练与测试功能,使老练和测试完全自动化。一种适用于SM PDP的老练测试仪的设计与实现,是将原有的基本老练过程改进为老练测试过程;这不仅要求改变驱动的激励方式,而且需求一种有效的测试方法,从而达到较全面地了解制屏质量的目的。实验及测试表明,使用这种老练测试仪不但能改善SM PDP的发光一致性和均匀性,而且能有效地衔接制屏工艺、点屏老练以及测试过程,从而提高了制屏成品率并降低了老练过程中的屏损坏率。

荫罩式等离子体显示板重置期放电

采用7英寸(17.8cm)小屏实验平台研究荫罩式PDP重置期的放电及其对寻址放电的影响,分析了重置期的斜率和电压变化对寻址的形成性延迟和统计性延迟的影响.研究结果表明,重置期的放电为多个弱放电脉冲组成,弱放电脉冲的个数和强度与重置期的电压和斜率相关.负向斜坡阶段的电压和斜率会直接影响寻址期的放电,而正向斜坡阶段的电压和斜率对寻址放电的影响较小,主要通过壁电压影响负向阶段的放电情况而间接影响寻址期放电.重置期波形的参数设置和实验屏的着火电压以及电压动态范围密切相关,这也就意味着和实验屏的工艺参数、气体成分等密切相关,对于不同参数的屏,需根据具体情况调试重置期波形.

荫罩式等离子体显示板中放电气体对阳极条纹的影响

近几年等离子体显示单元中的阳极条纹现象开始受到人们的关注,因为通过研究条纹现象可以更加深入地理解等离子体放电单元的放电机理,从而可以找到提高放电效率的途径。采用基于PIC-MCC(Particle in Cell-Monte Carlo Collision)模型的Oopic Pro软件模拟,并分析荫罩式等离子体显示板(SMPDP)放电的基本过程,研究了不同气体组成成分对阳极条纹的影响以及所产生的阳极条纹对放电空间电位的影响。

消除荫罩式等离子体显示器动态伪轮廓方法的研究

由于目前荫罩式等离子体显示器采用ADS驱动时序,产生较明显的动态伪轮廓现象,影响图像的显示质量。本文通过分析动态伪轮廓产生原因,提出了一套通过子场发光积累取代子场发光组合来实现灰度的驱动时序方法。从仿真结果来看,该方法可以消除荫罩式等离子体显示器的动态伪轮廓现象。采用多帧图像的叠加显示和误差扩散方法,很好地解决图像灰度级不足的问题,从而提高荫罩式等离子体显示器的图像质量。

25in高分辨率荫罩式等离子平板显示系统的研究

介绍了东南大学开发的25inSMPDP,荫罩上像素间最小间距尺寸为0.66mm,可以显示SVGA分辨率。新的最小像素间距尺寸预示了将来42inSMPDP与HDTV的兼容性。重新设计的放电胞结构可以提供更大的显示面积,并更有利于显示平板的制造。对其技术发展和市场前景作了展望。

非对称荫罩式PDP放电特性和工作参数的模拟研究

本文采用二维流体模型模拟了非对称荫罩式PDP结构的放电过程和放电特性。非对称荫罩式PDP结构的放电过程表明,该结构可产生斜拉的长路径放电,有效地提高放电效率。在5.8×104Pa,Ne+10%Xe的工作条件下,非对称结构相较对称结构发光效率提高了32%左右。同时通过对非对称结构各种参数的模拟表明,在扫描电极的中心偏离荫罩下开孔中心150μm,扫描电极宽度在60μm左右,工作气体压强在5.9×104Pa-6.6×104Pa,Xe比例在15%-20%左右,可使放电效率提高约65%。

新型荫罩式PDP单元结构的优化设计

本文讨论了新型荫罩式PDP单元结构的变化对放电的影响 ,从放电强度和放电效率的角度对单元结构进行优化设计。研究了取代介质障壁的荫罩的高度、宽度变化和荫罩内边界形状的变化对放电的影响 ,给出了不同结构下平均粒子浓度随时间的变化曲线和放电效率的变化趋势。模拟结果表明荫罩边界为内斜式的结构在响应时间、峰值浓度和放电效率上都具有较大优势 。

新型荫罩式PDP放电单元谐振光子辐射和捕获过程研究

本文在流体模型计算的基础上采用蒙特卡罗模型 ,研究了彩色等离子体平板放电单元中的辐射和捕获过程 .研究了新型荫罩式等离子体显示器 (SMPDP)和传统的交流表面放电等离子体显示器 (ACCPDP)的放电过程以及谐振光子的辐射和捕获特性 .给出了电子及氙谐振态平均浓度以及相应空间浓度分布随时间变化情况 .模拟了谐振光子和 14 7谱线的分布情况 .

基于数值模拟的非对称荫罩式PDP结构参数的优化

为了研究荫罩式等离子体显示板(SMPDP)的放电效率,采用流体模型,建立了二维非对称SMPDP单元的放电模型,给出了放电效率的计算方法.利用该放电模型,研究了具有长放电路径的非对称SMPDP的放电过程,讨论了扫描电极和放电单元后开口等结构参数对非对称SMPDP放电效率的影响.数值模拟的研究结果表明:随着扫描电极向后开口方向延伸长度的增加,非对称SMPDP放电效率先增加后减小,即扫描电极的延伸长度存在最优值;扫描电极与后开口的距离的不同,扫描电极结构不同的非对称SMPDP其放电效率的变化趋势也不同;随着荫罩后开口长度的增加,非对称SMPDP的放电效率呈现先增加后减小的趋势,当荫罩后开口长度为有效后开口长度的60%时,非对称SMPDP的放电效率提高10%.将扫描电极向后开口方向适当延伸,并合理选择后开口的长度、扫描电极与后开口间的距离,可以有效提高非对称SMPDP的放电效率.

基于宏单元实验的荫罩式PDP结构的优化

本文分析了荫罩式等离子体显示板(SMPDP)的优点和存在的不足,以提高PDP放电效率为目的,提出了非对称SMPDP结构。用宏单元实验研究的方法,比较了两种SMPDP的放电特性,确认非对称结构的红外辐射强度和红外效率比原有结构有较大提高。通过扫描电极结构的优化,使非对称结构的红外效率又有了进一步的提高。

荫罩式PDP着火电压的研究

采用数值方法,研究了荫罩式PDP(SM-PDP)放电单元的着火特性。计算了寻址期和维持期中,气体沿不同放电路径的着火电压,并讨论了放电单元中金属障壁对于着火特性的影响。最后,指出了SM-PDP着火特性的优越性。