基于玻璃管密封技术的碱金属蒸发源研究

碱金属掺杂对分子束外延生长的半导体材料有着非常重要的作用。现有的碱金属蒸发源以碱金属释放剂为原材料,蒸发的碱金属量较少,不能满足半导体材料外延生长过程中多次掺杂对碱金属量的需求,因此,自主研究开发了一种通过玻璃管密封碱金属单质获得大量碱金属的蒸发源,其碱金属质量可达2 g,比现有的碱金属蒸发源的碱金属含量(5 mg)提高了近2个量级。在手套箱中将碱金属单质放置在开口处带有球阀的玻璃管内,取出后连接真空泵组抽气处理,再将玻璃管旋转加热完成拉丝密封。封装后的玻璃管放置在蒸发源内部,使用时旋转挡板击碎玻璃管口进行蒸发镀膜。该碱金属蒸发源主要由原材料放置组件、灯丝加热组件、旋转挡板组件和电源控温组件等组成。对加热电源的电路进行非线性整定的PID控制,实现了5 min内将蒸发源的温度误差控制在±0.1 K以内的目标,稳定的温度可以提高分子束束流的稳定性,从而提高分子束外延膜的均匀性。试验证明,碱金属蒸发源可以蒸镀出碱金属,非线性整定PID调节器可以满足分子束外延生长对蒸发源控温精度的要求。

不同类型蒸发源对平面夹具薄膜均匀性的影响

分析了几种可能的实际蒸发源与薄膜均匀性的关系,其中包括扩展的平面蒸发源和曲面蒸发源。通过实验论证了薄膜均匀性对蒸发源尺寸和蒸发特性的依赖关系。得到的分析结果表明:当蒸发源半径和夹具高度的比值小于1/17时,蒸发源可以被视为一个点面源;大于1/10时,应当把蒸发源视为面面源进行考虑。当挖坑深度和蒸发源半径的比值介于0和0.5之间时,挖坑对薄膜均匀性造成的影响基本可以忽略;大于0.6时,挖坑效应明显影响薄膜的均匀性。

拉格朗日方法诊断2007年7月中国东部系列极端降水的水汽输送路径及其可能蒸发源区

以2007年7月中、下旬中国中东部地区系列极端降水为研究对象,分别以NCEP/NCAR分析资料和中尺度气象模式(WRF)模拟输出驱动拉格朗日三维粒子输送模式(FLEXPART),通过对极端降水有贡献的大气粒子群(气块)的后向轨迹,诊断了极端降水事件的水汽输送路径及其可能蒸发源区,并定量估算了不同水汽源区对降水事件的相对贡献大小。结果表明,极端降水事件的水汽输送可以向上游追溯到阿拉伯海和西亚地区,青藏高原的地形和副热带高压对水汽输送路径具有重要影响。源于热带和副热带低纬度地区的气块在到达降水区域之前,经历了多次的降水和蒸发过程,其中,阿拉伯海、印度半岛、孟加拉湾、中南半岛的缅甸以及中国西南部的川、滇等地区都是水汽的蒸发源区,上述所有源区为极端降水事件贡献了约80%的水汽。但是,不同水汽源区的相对贡献计算结果发现,陆地蒸发对水汽贡献相对重要,尤其是中南半岛的缅甸、中国的川、滇等地区的地表前期蒸发对这次极端降水的贡献超过了40%,这表明上游地区前期的土壤湿度异常可能对极端降水的发生具有重要的指示意义。

镀膜装置蒸发源发射形态与膜厚分布

蒸发源是真空镀膜装置中一个非常重要的部件。在多个蒸发源共存的装置中,如何在设计中正确选择蒸发源与蒸发源、蒸发源与基片之间的距离就显得尤为重要,它直接关系到基板涂层均匀性。本篇文章根据蒸发源与基片之间的物理联系入手,分析基片--蒸发源距离对基片涂层均匀性的影响,进而对蒸发源与蒸发源、蒸发源与基片之间距离的确定,提出了自己的一些观点和看法。

脉冲电弧蒸发源的研究

本文介绍西安工业学院研制的脉冲电弧蒸发源的原渐变膜的性能指标.

具有多层结构的新型蒸发源

本文报道了一种具有多层结构的新型蒸发源,指出了它的特点和用该蒸发源制备CdS太阳电池的结果。

超高真空中使用的高纯过渡金属蒸发源

设计了一种超高真空使用的低电流过渡金属蒸发源 ,它能产生高纯金属原子束 ,且具有一定的寿命。该蒸发源是将过渡金属Co,Ni或Cr电镀到一个由W丝弯成的U形加热器上构成的。装入超高真空中 ,利用W丝自身的电阻加热 ,去气后 ,可获得数小时的清洁蒸发。实验结果表明 ,在离蒸发源约 5cm处 ,其淀积速率最高可达 1 0nm/min ,总的淀积厚度超过 5 0 0nm ,而且Auger分析结果显示 ,在超高真空中淀积的上述几种过渡金属薄膜 ,其纯度相当高 ,杂质含量均小于仪器的检测灵敏度。

真空电弧蒸发源及其在刀具涂层离子镀中的应用

利用真空电弧蒸发源进行刀具涂层离子镀，目前在国内已经开始得到应用。但是， 对电弧蒸发源的设计及刀具涂层工艺等方面的研究尚存在一定问题。本文针对这些问 题，对电弧蒸发源的结构、工作原理以及设计中的若干问题进行了论述。文中最后还就 提高刀具涂层质量方面应采取的几点工艺措施进行了介绍。

双金属电弧离子蒸发源的研制

阐述了双金属电弧离子蒸发源的设计原则及结构。利用双金属电弧离子蒸发源成功制备了TiAlN膜层,并对优化的制备参数做了简要介绍。

膜层厚度分布与蒸发源相对位置的设计探讨

本文用计算机对三台国产镀膜机的膜厚分布进行计算，分析了膜厚均匀产生的主要原因；提出了利用计算机帮助寻找蒸发源的最佳排列，以获得在所要求的基材宽度内的最佳膜厚分布。讨论了真空度对膜厚分布的影响，并提出了膜厚分布的修正公式。

用于真空电弧离子镀膜的受控电弧蒸发源

本文在研究了阴极弧斑运动规律的基础上，发展了多功能受控电弧蒸发源，它可在自由电弧状态下运行，而在２００～２５０Ａ高参数运行时，可使阴极弧斑覆盖几乎整个阴极表面且多轨迹旋转，使阴极烧蚀均匀，提高了镀膜沉积速率，薄膜质量也相应提高。研制的另一种环形阴极旋转电弧蒸发源，可基本消除液滴，使阴极利用率更高。

真空蒸发镀膜中钨螺旋蒸发源的多次利用

真空蒸发镀膜中钨螺旋蒸发源的多次利用张建民（陕西师范大学物理系西安７１００６２）真空镀膜是目前各高等院校近代物理实验的重要内容之一，一般以真空蒸发镀铝镜为主．传统的做法是以钨螺旋作为蒸发源，要将待蒸材料——铝丝先两股合在一起，在端头处弯成一个小“Ｕ”...

多弧离子镀设备阴极电弧蒸发源工作稳定性的研究

多弧离子镀技术近年来发展极为迅速，已生产出多种类型的多弧离子镀设备并已投产使用。设备中阴极电弧蒸发源工作性能的好坏直接影响到产品质量。本文在大量实验的基础上对蒸发源的工作稳定性，进行了探讨、研究，分析其影响因素和原因，并提出一些解决办法。

磁偏转电子束蒸发源的研发

本文介绍了自主研发的磁偏转电子束蒸发源,主要构造有电子束发射及偏转组件、水冷组件和坩埚换位组件等,设备集成在6英寸的超高真空刀口法兰上,可安装3个坩埚。整体构造通过CST粒子仿真软件进行了优化设计。该蒸发源可发射电子,并通过对电子的加速、偏转和聚焦实现对固体源材料的轰击加热。电子束能量最高为40keV,可用于蒸发几乎所有的金属材料。测试结果显示,坩埚温度和电子束电流成正比例对应关系,蒸发速率稳定,各项性能指标达到设计要求。

炸药沉积蒸发源的结构分析

应用真空镀膜技术制作出的爆炸网络其密度比较均匀，膜层的厚度比较容易控制；选择适当的工艺参数，能够制得精度很高的小尺寸产品；

ZG-15型卷绕镀膜机感应加热式蒸发源的设计

感应加热式蒸发源用于卷绕式真空蒸发镀膜机蒸镀铝膜，近年来在日本得到了广泛 地应用。为了把这一先进技术在国内加以应用推广，本文在介绍了感应加热式蒸发源加 热蒸发原理的基础上，对蒸发源的结构及其主要参数、感应加热器的电气参数计算及感 应源的电气原理等方面作了详尽地论述。文中最后还就蒸发源有关的设计问题，诸如坩 埚与蒸镀辊的距离、坩埚之间的布置及输电导线的设计等问题做了介绍，并且指出了这 种蒸发源在运转过程中应注意的几个问题。

半导体行业用靶材及蒸发源材料

在不同产业相对比较之下,半导体产业对于溅射靶材、蒸发源材料的要求是最高的,半导体领域应用靶材是世界靶材市场的主要组成之一。本文主要介绍了靶材的分类、半导体行业用靶材的种类及制备工艺以及未来半导体行业用靶材的发展趋势。

电弧型蒸发源

本发明涉及一种电弧型蒸发源，该蒸发源拥有基本上呈柱状的阴极，其轴向长度大于其直径；阴极供料装置，用于沿该阴极的轴向向该阴极供料；阴极冷却装置，用于以冷却剂冷却该阴极的至少一侧表面；和磁线圈，用于产生基本垂直延伸到该阴极前端的蒸发表面或从该蒸发表面向外延伸的磁通。

颗粒物质到蒸发源的输送

专利申请号：CN200580039033．6 公开号：CN101094932 申请日：2005-09—16 公开日：2007—12-26 申请人：美国伊斯曼柯达公司 一种将颗粒物质蒸发并将其在表面上冷凝以形成膜层的方法，其在第一容器内提供了一些第一颗粒物质并在与第一容器相隔开的第二容器内提供了一些第二颗粒物质，第一容器和第二容器分别具有第一开口和第二开口。