外施横磁下真空断路器弧后金属蒸汽击穿过程仿真研究

从微观的角度分析外施横向磁场下直流真空断路器弧后金属蒸汽击穿过程。首先,建立了可以描述直流真空断路器弧后金属蒸汽击穿过程的粒子模拟-蒙特卡洛碰撞仿真模型,确定了弧后金属蒸汽击穿判据;其次对比了不同横向磁场强度下弧后金属蒸汽击穿的发展过程,分析外施横磁强度对弧后金属蒸汽击穿的作用;最后,分析了外施横向磁场强度对弧后金属蒸汽击穿时刻的影响。研究结果表明:场致发射提供了金属蒸汽击穿的初始电子,是诱发金属蒸汽击穿的“种子”,电子崩的出现意味着金属蒸汽击穿的发生;横向磁场会降低真空间隙内的电子数和铜离子数,这是因为间隙内的电子和铜离子会在横磁的作用下横向扩散;横向磁场越大,金属蒸汽击穿速度越慢,当外施磁场由0 mT增加至2000 mT时,击穿时刻由1.913×10^(-7)s增加至2.72×10^(-7)s。本文的研究结果有助于理解外施横磁下直流真空开断的弧后金属蒸汽击穿过程,可为低压直流真空断路器的开发提供理论依据。

激光诱导等离子体中铜原子和铜离子的时空行为

通过光谱观察 ,考察了激光诱导铜等离子体的动力学过程和等离子体成分的时空行为 .不同能量的等离子体粒子 ,产生的机制不同 ,在时空演变过程中显示的行为不同 ,它们受背景气氛的影响也不同 .