SiO_2薄膜斜角蒸镀工艺研究

利用斜角蒸镀工艺镀制SiO2薄膜是获得低折射率薄膜的一个有效方法。通过电子束蒸发镀膜方式,利用自制的斜角蒸镀装置,研究了SiO2材料在斜角蒸镀工艺中薄膜倾斜角度与沉积角度的关系,薄膜沉积厚度与设定厚度的关系,薄膜折射率与沉积角度的关系。实验表明利用斜角蒸镀工艺镀制低折射率薄膜是可行的。实验得到了折射率为1.10的SiO2薄膜,并得到了重要的SiO2的折射率与沉积角度关系曲线。

金刚石膜上电子束蒸镀Ti/Ni/Au多层膜

经过相图分析提出了CVD金刚石膜上蒸镀Ti/Ni/Au的体系。采用该体系、富氧预处理工艺和电子束真空镀膜方法 ,金刚石膜和多层金属膜之间获得了良好结合强度。研究发现 :富氧预处理对多金属膜和金刚石膜之间的结合强度影响显著。进一步利用俄歇电子能谱 (AES)证实 :C向Ti中扩散层有 15 0nm之多 ,并出现了厚度约为 90nm稳定含量层 ,说明有确定化学比的反应产物生成 ;富氧处理在金刚石膜与Ti金属层之间增加了氧的含量 ,为形成TiO和TiC提供了合适的条件。

蒸发镀膜基片工装改进与镀膜均匀性研究

红外滤光片,尤其是中长波红外窄带滤光片等光谱指标要求较高的红外光学薄膜,膜层厚度能达到几十微米,因而对膜料的需求非常大。当镀膜真空室较大时,一次填料不能满足膜料用量需求,通常采用减小蒸发距离的方式提高膜料的利用率,但同时会使膜厚均匀性变差,光谱性能变差。通过镀膜理论分析,在满足产品镀膜均匀性的前提下,设计了一套可自由调节高度及大小的旋转平面基片工装,以减小蒸发源与镀膜基片的距离,提高膜料利用率。理论计算表明,当工件盘和蒸发源之间的垂直高度与蒸发源和工件盘转轴的距离之比为1.8、蒸发源是小平面源时,膜厚不均匀性不大于0.20%。采用该装置制备中波红外短波通滤光片,置于工件盘中心与边缘位置的滤光片半功率点位置相差8 nm,与理论计算的膜厚不均匀性(0.18%)对应一致。

封离型CO_2激光器放电管内金催化剂膜镀制研究

介绍了在封离轴向放电型CO2 激光器正柱区管内壁上直接镀制金膜 ,作为促使器件工作时分解的CO2 分子再生复合的催化剂及有关的问题。