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第三代电子材料——氮化镓
1
作者
李栓庆
《半导体情报》
1996年第5期7-17,共11页
简要介绍了第三代电子材料纤锌矿氮化镓的化学特性、结构特性、光学特性和电学特性。讨论了材料生长技术和制约氮化镓研究的衬底材料问题。最后给出了氮化镓材料在蓝光发射器件高温、大功率和微波用 MESFET 以及HFET 方面的应用情况并...
简要介绍了第三代电子材料纤锌矿氮化镓的化学特性、结构特性、光学特性和电学特性。讨论了材料生长技术和制约氮化镓研究的衬底材料问题。最后给出了氮化镓材料在蓝光发射器件高温、大功率和微波用 MESFET 以及HFET 方面的应用情况并展望了未来前景。
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关键词
纤锌矿
氮化镓
蓝光发射器件
衬底
发光二极管
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职称材料
题名
第三代电子材料——氮化镓
1
作者
李栓庆
机构
电子部第
出处
《半导体情报》
1996年第5期7-17,共11页
文摘
简要介绍了第三代电子材料纤锌矿氮化镓的化学特性、结构特性、光学特性和电学特性。讨论了材料生长技术和制约氮化镓研究的衬底材料问题。最后给出了氮化镓材料在蓝光发射器件高温、大功率和微波用 MESFET 以及HFET 方面的应用情况并展望了未来前景。
关键词
纤锌矿
氮化镓
蓝光发射器件
衬底
发光二极管
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN383 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
第三代电子材料——氮化镓
李栓庆
《半导体情报》
1996
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