A向蓝宝石晶片化学机械抛光研究

采用正交试验和单因素实验,研究了磨粒种类(包括SiO_(2)、Al_(2)O_(3)和CeO_(2))和抛光工艺参数(包括抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量)对A向蓝宝石(1120)化学机械抛光(CMP)效果的影响。通过超精密分析天平计算材料去除率,原子力显微镜观察抛光表面形貌。结果表明:在A向蓝宝石晶片CMP抛光过程中,胶体SiO_(2)磨粒比Al_(2)O_(3)和CeO_(2)磨粒的抛光效果好。抛光工艺参数对A向蓝宝石材料去除率的影响程度主次顺序为抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量。当抛光压力为14.5 kPa,抛光盘转速为80 r/min,抛光液流量为90 mL/min时,A向蓝宝石晶片抛光效果最优,材料去除率达到2 366 nm/h,表面粗糙度(Ra)为0.80 nm左右。

蓝宝石晶片机械化学研磨抛光新方法研究

以SiO2为磨料,同时将MgF2微粉作为固相反应催化剂加入到SiO2磨料中,利用蓝宝石和SiO2之间的固相反应,通过去除生成的软质反应层的方法,对蓝宝石晶片进行机械化学研磨抛光,在获得良好的表面加工质量的同时,提高蓝宝石晶片加工效率。

SiO_2/CeO_2复合磨粒的制备及在蓝宝石晶片抛光中的应用

采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明:所制备的SiO2/CeO2复合磨粒呈球形,粒径在40-50nm;在相同条件下,经过复合磨料抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.32nm,材料去除速率为16.4nm/min,而SiO2抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.92nm,材料去除速率为20.1nm/min。实验显示,复合磨料的材料去除速率略低于单一SiO2磨料,但它获得了较好的表面质量,基本满足蓝宝石作发光二极管(LED)衬底的工艺要求。

纳米碳化硅抛光液的制备及其对蓝宝石晶片抛光性能的研究

制备了一种纳米SiC抛光液,用透射电镜观察其粒子形貌,通过纳米粒度仪研究了分散剂种类对悬浮液中SiC的粒径分布和Zeta电位的影响,并用制备的抛光液对蓝宝石晶片进行化学机械抛光。使用原子力显微镜观察蓝宝石晶片抛光后的表面形貌。结果表明:SiC磨料在以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为分散剂的悬浮液中分散效果最好;在相同试验条件下,采用质量分数1%的SiC抛光材料的去除速率最大,为24.0 nm/min,获得蓝宝石晶片表面质量较好,表面粗糙度R a为2.2 nm。

蓝宝石晶片加工表面质量检测方法综述

蓝宝石(α-Al2O3)晶体因其具有硬度高、熔点高等优良特性而在国防、航空航天、工业以及生活领域都得到广泛应用,蓝宝石晶片加工质量对其应用有着重要的影响。文章总结了蓝宝石晶片加工表面损伤常用的检测方法,并比较分析了这些检测方法的优缺点,提出了适用于加工需要的蓝宝石晶片表面损伤快速检测方案。

蓝宝石晶片质量检测体系研究

阐述了蓝宝石晶片质量检测的重要性，根据蓝宝石晶片国家标准和国际质量保证体系，结合目前蓝宝石晶片生产和科研的实际情况，提出了蓝宝石晶片质量检测体系，包括蓝宝石晶片质量检测内容、检测方法和检测设备，通过试验研究，该质量检测体系能够满足光电子领域所需的蓝宝石晶片生产要求。

蓝宝石晶片研磨工艺的研究

通过对蓝宝石晶片研磨试验的研究,得出了不同磨料种类、不同磨料浓度和加工压力对表面粗糙度和材料去除率的影响。结果表明,在众多磨料中SiO2比较适宜研磨,用此磨料在浓度15wt%时材料去除率比较高,在压力9.8N时综合效果较佳,而MgO磨料适合获得理想表面粗糙度。

蓝宝石晶片表面净化技术研究

阐述了在氮化镓生长中使用的蓝宝石晶片净化的重要性。论述了蓝宝石晶片的净化原理。通过净化试验研究,提出了适合于工业化生产的蓝宝石晶片清洗剂和净化工艺,满足了光电子领域所需的开盒即用的蓝宝石晶片表面质量要求。

LED用蓝宝石晶片湿法腐蚀清洗技术的研究

介绍了蓝宝石晶片的清洗原理;通过分析蓝宝石的表面净化原理和对湿法腐蚀清洗工艺试验的研究,提出了一种适用于工业化生产蓝宝石晶片的清洗剂和净化工艺,满足了LED领域的蓝宝石晶片表面洁净度要求。

基于蓝宝石晶片的光纤法布里-珀罗高温传感器

提出并研制了一种基于蓝宝石晶片的光纤法布里－珀罗（法珀）高温传感器．该传感器采用斜端面蓝宝石光纤作传输波导，蓝宝石晶片作法珀干涉仪，“陶瓷插芯－陶瓷套管”结构做为传感器的固定结构．通过傅里叶变换－最小均方差联合算法解调传感器的反射光谱，实现了20℃～1000℃范围内的温度测量，测试准确度为±2．5℃．该传感器具有体积小、成本低、制作简单以及重复性高的优点，可用于高温环境下稳定、精确的温度测量．

固结磨料研磨蓝宝石晶片的工艺优化

为了满足蓝宝石晶片高效低损伤的加工要求,采用亲水性固结磨料研磨垫研磨蓝宝石晶片的工艺,研究基体中碳化硅粒度尺寸、基体类型、金刚石粒度尺寸及研磨液中磨料4个因素对材料去除率和表面粗糙度的影响,并综合优化获得高加工效率和优表面质量的工艺参数。实验结果表明：基体中碳化硅粒度尺寸为10μm、基体类型为Ⅱ、研磨垫采用F公司粒度尺寸为35~45μm的金刚石、研磨液中磨料的粒度尺寸为5μm的碳化硅为最优工艺组合,亲水性固结磨料研磨蓝宝石的材料去除率为431.2nm/min,表面粗糙度值为Ra0.140 2μm。

蓝宝石晶片加工技术现状与发展趋势

蓝宝石晶体具有强度高、耐高温、耐化学腐蚀、抗磨损等优良性能,在半导体照明、国防军工、航天航空、智能穿戴、电子产品等领域得到广泛的应用。本文对实现蓝宝石高效低损伤的加工技术进行了总结和分析,并指出蓝宝石晶体加工过程中存在的问题及未来发展的趋势。

阳离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响

为了探究阳离子表面活性剂对A向(1120)蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响,采用失重法计算蓝宝石的材料去除率(MRR)、原子力显微镜观察抛光后蓝宝石晶片表面粗糙度(Ra)。结果表明:纯二氧化硅磨粒抛光液中,蓝宝石晶片的MRR在p H8时最优(MRR=1984/h),此时Ra为0.867 nm;添加一定浓度的阳离子表面活性剂可以提高蓝宝石晶片的抛光效率,其MRR在p H=9时达到最大(MRR=2366 nm/h),此时Ra=0.810 nm。通过粒径和Zeta电位分析,阳离子表面活性剂改变了二氧化硅磨粒表面的Zeta电位值,进而改变了磨粒与磨粒及磨粒与蓝宝石晶片的作用力,且在碱性条件下可以获得较高的MRR。

蓝宝石晶片粗磨工艺的研究

采用碳化硼(粒度尺寸61μm)作为磨料配制的研磨液对蓝宝石表面进行粗磨,并研究其工艺。通过单因素实验,选用不同悬浮液、不同研磨压力、不同质量分数碳化硼进行实验。结果表明:当碳化硼磨料质量分数为20%,悬浮液为CM–F系列,研磨液流量250mL/min,研磨盘转速80r/min,研磨时间30min,研磨压力2.8×10~4 Pa时,研磨效果好,材料去除率可达2.47μm/min,表面无肉眼可见划痕,在OLYMPUS–MX50下观察,晶片表面无明显划伤。

蓝宝石晶片研磨工艺的研究

利用碳化硼W5对蓝宝石研磨实验进行研究,得出不同磨料浓度、不同悬浮液黏度和加工压力对表面状态、粗糙程度和工件去除率的影响。结果表明,碳化硼W5比较适宜研磨,用此磨料在浓度为15%,悬浮液黏度为0.15%(黏度通过控制羧甲基纤维素的衍生物的含量控制),研磨压力为4 N/cm2时效果较佳,去除率可达0.63μm/min,表面无划痕,粗糙度较理想。

台达UPS为LED蓝宝石晶片企业护驾保航

近期，台达NT系列UPS产品凭借其卓越的产品品质和中达电通所提供的完善解决方案，成功中标某蓝宝石科技有限公司，为该公司工厂内的二期产线生产设备正常供电提供保障。

台达UPS为LED蓝宝石晶片企业护驾保航

近期，台达NT系列UPS产品凭借其卓越的产品品质和以及中达电通所提供的完善解决方案，成功中标某蓝宝石科技有限公司，为该公司工厂内的二期产线生产设备正常供电提供保障。

青岛市蓝宝石晶片项目投产建设LED产业链

由青岛市招商局积极促进，4月8日上午，总投资25亿元人民币的蓝宝石晶片加工项目在青岛高新区举行了开业仪式，这也是青岛市高新区建成后首家开工投产的企业。

飞秒激光微加工蓝宝石晶片光纤压力传感器

提出了一种高温大量程的蓝宝石法布里-珀罗(F-P)干涉仪压力传感器。传感器由三层蓝宝石晶片直接键合而成,包括蓝宝石衬底、带通孔的蓝宝石晶片和感压蓝宝石晶片。飞秒激光用于在蓝宝石晶片的中心刻蚀通孔,并粗糙化感压蓝宝石晶片的外表面。利用蓝宝石晶片抛光面作为F-P腔的反射面,有助于降低解调出的光学腔长波动,提高压力分辨率。提出的传感器在室温、0~30 MPa的高压力范围内光学腔长随压力线性变化,压力灵敏度为0.1253μm/MPa,相对分辨率达到0.04%FS(full scale,全量程),且能在700℃下稳定工作。

蓝宝石晶片中微/纳米缺陷散射特性的仿真

基于广义Lorenz-Mie理论,对蓝宝石晶片中微体缺陷的散射特性进行了仿真,分析了散射光接收位置、缺陷大小、入射光波长对散射光强的影响。结果表明:前向散射方向上的空间散射光强信息量最大,检测结果最准确;缺陷大小对散射光强分布具有显著影响,可以将散射光强分布曲线的特征作为判断缺陷大小的依据;入射光波长越小,测量越准确。