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2×25.4mm GaN LED外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用
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作者 黄瑾 郑清洪 刘宝林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1493-1496,共4页
利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报道了在剥离掉后的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上MOCVD外延生长InGaN/... 利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报道了在剥离掉后的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上MOCVD外延生长InGaN/GaN多量子阱(MQW′s)LED器件结构,通过光致发光谱(PL)和XRD谱对比分析了在相同条件下剥离掉后衬底与常规衬底上生长的GaNLED外延膜晶体质量。 展开更多
关键词 GAN 激光剥离 蓝宝石衬底抛光
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