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高质量GaN外延薄膜的生长
被引量:
7
1
作者
吴学华
J.S.Speck
吴自勤
《物理》
CAS
1999年第1期44-51,共8页
综述了高质量GaN外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展.主要采用的新工艺为:在较低温度下生长GaN缓冲层后再高温生长GaN外延薄膜,双气流金属有机化合物气相沉积(MOCVD),以及用开有窗口的SiO2膜截断穿过位错后...
综述了高质量GaN外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展.主要采用的新工艺为:在较低温度下生长GaN缓冲层后再高温生长GaN外延薄膜,双气流金属有机化合物气相沉积(MOCVD),以及用开有窗口的SiO2膜截断穿过位错后横向覆盖外延生长(epitaxialylateralovergrowth).X射线衍射和高分辨电镜研究证实,上述工艺使GaN外延薄膜质量得到显著提高.利用这种薄膜研制成的蓝色激光管即将投放市场.
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关键词
外延薄膜
蓝色激光管
穿过位错
氮化镓
原文传递
题名
高质量GaN外延薄膜的生长
被引量:
7
1
作者
吴学华
J.S.Speck
吴自勤
机构
中国科学技术大学基础物理中心
出处
《物理》
CAS
1999年第1期44-51,共8页
文摘
综述了高质量GaN外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展.主要采用的新工艺为:在较低温度下生长GaN缓冲层后再高温生长GaN外延薄膜,双气流金属有机化合物气相沉积(MOCVD),以及用开有窗口的SiO2膜截断穿过位错后横向覆盖外延生长(epitaxialylateralovergrowth).X射线衍射和高分辨电镜研究证实,上述工艺使GaN外延薄膜质量得到显著提高.利用这种薄膜研制成的蓝色激光管即将投放市场.
关键词
外延薄膜
蓝色激光管
穿过位错
氮化镓
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高质量GaN外延薄膜的生长
吴学华
J.S.Speck
吴自勤
《物理》
CAS
1999
7
原文传递
已选择
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