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光助MOCVD生长p-ZnSe及ZnSe p-n结室温蓝色电致发光
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作者 张吉英 申德振 +2 位作者 范希武 吕有明 杨宝均 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1998年第6期443-445,共3页
用光助低压MOCVD进行ZnSe及ZnSeN外延层生长,由发光光谱表明,在光助下生长的本征ZnSe外延膜具有高质量;ZnSeN外延层中与N有关的深中心发射得到有效抑止。其p-ZnSe受主载流子浓度达3×1017c... 用光助低压MOCVD进行ZnSe及ZnSeN外延层生长,由发光光谱表明,在光助下生长的本征ZnSe外延膜具有高质量;ZnSeN外延层中与N有关的深中心发射得到有效抑止。其p-ZnSe受主载流子浓度达3×1017cm-3。在制备的n-ZnSe/ZnCdSe-ZnSeQW/p-ZnSe结构中,在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光(EL) 展开更多
关键词 光助MOCVD 室温 蓝色el 外延生长 硒化锌
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