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光助MOCVD生长p-ZnSe及ZnSe p-n结室温蓝色电致发光
1
作者
张吉英
申德振
+2 位作者
范希武
吕有明
杨宝均
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
1998年第6期443-445,共3页
用光助低压MOCVD进行ZnSe及ZnSeN外延层生长,由发光光谱表明,在光助下生长的本征ZnSe外延膜具有高质量;ZnSeN外延层中与N有关的深中心发射得到有效抑止。其p-ZnSe受主载流子浓度达3×1017c...
用光助低压MOCVD进行ZnSe及ZnSeN外延层生长,由发光光谱表明,在光助下生长的本征ZnSe外延膜具有高质量;ZnSeN外延层中与N有关的深中心发射得到有效抑止。其p-ZnSe受主载流子浓度达3×1017cm-3。在制备的n-ZnSe/ZnCdSe-ZnSeQW/p-ZnSe结构中,在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光(EL)
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关键词
光助MOCVD
室温
蓝色el
外延生长
硒化锌
原文传递
题名
光助MOCVD生长p-ZnSe及ZnSe p-n结室温蓝色电致发光
1
作者
张吉英
申德振
范希武
吕有明
杨宝均
机构
中国科学院长春物理研究所
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
1998年第6期443-445,共3页
基金
国家"八六三"高技术光电子主题
国家自然科学基金
中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室资助
文摘
用光助低压MOCVD进行ZnSe及ZnSeN外延层生长,由发光光谱表明,在光助下生长的本征ZnSe外延膜具有高质量;ZnSeN外延层中与N有关的深中心发射得到有效抑止。其p-ZnSe受主载流子浓度达3×1017cm-3。在制备的n-ZnSe/ZnCdSe-ZnSeQW/p-ZnSe结构中,在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光(EL)
关键词
光助MOCVD
室温
蓝色el
外延生长
硒化锌
Keywords
p ZnSe epilayer
photo assisted growth
blue
el
ZnSe dioders
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光助MOCVD生长p-ZnSe及ZnSe p-n结室温蓝色电致发光
张吉英
申德振
范希武
吕有明
杨宝均
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
1998
0
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