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Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶电阻率的测试 被引量：1
1
作者 白荣林 闫洪 杨祖贵 《电子质量》 2010年第5期18-19,共2页
文章对Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶的电阻率进行测试,通过引入锗园片的厚度修正系数和直径修正系数,得到锗园片中心电阻率是23.51Ω.cm,园片边缘为27.16Ω.cm,不均匀性15.53%,提高了电阻率测定的准确性。
关键词 锗单晶 薄园片 电阻率 不均匀性
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