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Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究
1
作者 郑文莉 贾全杰 +1 位作者 姜晓明 蒋最敏 《Beijing Synchrotron Radiation Facility》 2001年第2期187-193,共7页
用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品... 用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响． 展开更多
关键词 同步辐射X射线反射法 薄层异质结构 锗 Ge 半导体材料 表面偏析 分子束外延 晶体薄膜生长
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