-
题名薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价
被引量:2
- 1
-
-
作者
王茂菊
李斌
章晓文
陈平
韩静
-
机构
华南理工大学物理科学与技术学院
信息产业部电子第五研究所
-
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期336-339,共4页
-
基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(51433030203JW091)
-
文摘
随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究,基于斜坡电压实验,提取模型参数,分别利用线性场模型和定量物理模型,外推出工作电压下栅氧化层的寿命。通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程,提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适。
-
关键词
薄栅氧化物
经时绝缘击穿
斜坡电压法
可靠性
寿命
-
Keywords
Thin gate oxide
TDDB
Voltage ramp test
Reliability
Lifetime
-
分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究
- 2
-
-
作者
王茂菊
李斌
章晓文
陈平
韩静
-
机构
华南理工大学物理科学与技术学院
信息产业部电子第五研究
-
出处
《电子器件》
EI
CAS
2006年第3期624-626,634,共4页
-
基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助(51433030203JW091)
-
文摘
随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间,研究了斜坡电压情况下,栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系。
-
关键词
薄栅氧化物
TDDB
斜坡电压法
击穿参数
-
Keywords
thin gate oxide
TDDB
voltage ramp test
the parameters of breakdown
-
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-