一种超薄IGBT半导体器件的制造方法

使用了一种超薄IGBT半导体器件的制造方法。由于减薄后片子承受外部压力的能力减弱，通过使用挡片和光刻胶粘附的方法，有效降低了薄片产品的碎片率。文中从研发和生产的角度考虑，通过小批量生产投入，验证该工艺方法在实际生产中是切实可行的。

一种超薄IGBT半导体器件的制造方法

使用了一种超薄IGBT半导体器件的制造方法。由于减薄后片子承受外部压力的能力减弱，通过使用挡片和光刻胶粘附的方法，有效降低了薄片产品的碎片率。文中从研发和生产的角度考虑，通过小批量生产投入，验证该工艺方法在实际生产中是切实可行的。