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薄膜全耗尽CMOS／SIMOX的高温特性分析
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作者 竺士炀 高剑侠 +1 位作者 林成鲁 李金华 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1996年第1期42-46,共5页
在室温～２００℃的不同温度下测量了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）的Ｐ沟，Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系，并同相应的体... 在室温～２００℃的不同温度下测量了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）的Ｐ沟，Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系，并同相应的体硅器件作了比较。 展开更多
关键词 CMOS SIMOX 高温特性 薄膜全耗尽器件
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