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专利名称:一种工件表层纳米陶瓷薄膜制备装置
1
作者
贾文峰
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2005年第6期21-21,共1页
一种工件表层纳米陶瓷薄膜制备装置,其特征是真空反应室的顶部具有带法兰的罩盖,罩盖的顶部与升降机构的提升端连接;罩盖内具有带升降机构的阳极板,其极端通过导线接射频电源,阳极板的下面设置有带小孔的分流管外接气体管路;真空...
一种工件表层纳米陶瓷薄膜制备装置,其特征是真空反应室的顶部具有带法兰的罩盖,罩盖的顶部与升降机构的提升端连接;罩盖内具有带升降机构的阳极板,其极端通过导线接射频电源,阳极板的下面设置有带小孔的分流管外接气体管路;真空反应室的底部安装有由加热板支撑的电热丝,加热板上面由绝缘座支撑有温度缓冲板,由其支撑加工工件极板,其极端通过导线接射频电源:在机架内具有充气阀和真空规管分别与真空反应室底部连接;真空反应室底部由带蝶阀的抽气管外接出机架与真空泵组连接。具有真空反应室空间大,设置有加热机构、真空泵组设置在机架外,设置有可升降阳极板,设置气体分流管,在气体管路上设置有电磁阀,气瓶设置在气柜内等特点。
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关键词
薄膜制备装置
加工工件
纳米陶瓷
专利名称
表层
真空规管
升降机构
射频电源
反应室
阳极板
下载PDF
职称材料
金刚石薄膜制备装置
2
作者
卫冰
《等离子体应用技术快报》
1998年第9期12-13,共2页
关键词
金刚石膜
薄膜制备装置
大面积
下载PDF
职称材料
MWPCVD制备金刚石膜装置的大功率稳定运行的研究
3
作者
舒兴胜
邬钦崇
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2001年第7期88-90,共3页
介绍了水冷反应室式MWPCVD制备金刚石膜装置的结构和工作原理 ,着重讨论了该装置长时间大功率稳定运行的措施。该装置在微波输入功率为 3 0kW时能长时间稳定运行。
关键词
MWPCVD
装置
稳定运行
微波功率
金刚石膜
薄膜制备装置
结构
下载PDF
职称材料
题名
专利名称:一种工件表层纳米陶瓷薄膜制备装置
1
作者
贾文峰
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2005年第6期21-21,共1页
文摘
一种工件表层纳米陶瓷薄膜制备装置,其特征是真空反应室的顶部具有带法兰的罩盖,罩盖的顶部与升降机构的提升端连接;罩盖内具有带升降机构的阳极板,其极端通过导线接射频电源,阳极板的下面设置有带小孔的分流管外接气体管路;真空反应室的底部安装有由加热板支撑的电热丝,加热板上面由绝缘座支撑有温度缓冲板,由其支撑加工工件极板,其极端通过导线接射频电源:在机架内具有充气阀和真空规管分别与真空反应室底部连接;真空反应室底部由带蝶阀的抽气管外接出机架与真空泵组连接。具有真空反应室空间大,设置有加热机构、真空泵组设置在机架外,设置有可升降阳极板,设置气体分流管,在气体管路上设置有电磁阀,气瓶设置在气柜内等特点。
关键词
薄膜制备装置
加工工件
纳米陶瓷
专利名称
表层
真空规管
升降机构
射频电源
反应室
阳极板
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
金刚石薄膜制备装置
2
作者
卫冰
出处
《等离子体应用技术快报》
1998年第9期12-13,共2页
关键词
金刚石膜
薄膜制备装置
大面积
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MWPCVD制备金刚石膜装置的大功率稳定运行的研究
3
作者
舒兴胜
邬钦崇
机构
中国科学院等离子体物理研究所
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2001年第7期88-90,共3页
基金
863计划资助项目 (863-715- 002-0020)
文摘
介绍了水冷反应室式MWPCVD制备金刚石膜装置的结构和工作原理 ,着重讨论了该装置长时间大功率稳定运行的措施。该装置在微波输入功率为 3 0kW时能长时间稳定运行。
关键词
MWPCVD
装置
稳定运行
微波功率
金刚石膜
薄膜制备装置
结构
Keywords
MWPCVD apparatus, Steady operation, Microwave power, Diamond films
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
专利名称:一种工件表层纳米陶瓷薄膜制备装置
贾文峰
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2005
0
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职称材料
2
金刚石薄膜制备装置
卫冰
《等离子体应用技术快报》
1998
0
下载PDF
职称材料
3
MWPCVD制备金刚石膜装置的大功率稳定运行的研究
舒兴胜
邬钦崇
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2001
0
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职称材料
已选择
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