低温多晶硅薄膜晶体管-液晶显示器用高压退火装置

近年来，多晶硅薄膜晶体管-液晶显示器获得开发，并日趋批量化生产。为进一步提高低温多晶硅薄膜晶体管的性能，实现其品质均匀化，日本石川岛播磨重工业株式会社开发了上述液晶显示器用高压退火装置。着重介绍了该高压退火装置的设备概要、技术参数和多晶硅薄膜的氧化实验。

CEC·咸阳第8.6代薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)项目

一、工程概况该工程位于陕西省咸阳市,是我国建成投产的第一条8.6代液晶面板生产线,是国家“十三五”规划重大工程。工程是全球最大且唯一建设在高烈度区的多层全钢结构超洁净智能环保高科技电子厂房,占地面积57.4万m2,建筑面积71.2万m2,包括生产厂房、动力中心及配套建筑等19个单体。

薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD专利图表与分析

专利及专利图表是重要的信息资源,文中绘制了一些薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD专利图表等,并分析了图表中信息和专利内容。

薄膜晶体管型液晶显示器(TFT-LCD)产业主要竞争者中国专利分析

利用专利分析软件对薄膜晶体管型液晶显示器(TFT-LCD)产业中国专利进行分析。专利分析得出国外企业在该领域已经大量布局。近年来,国外企业在华专利申请量呈减少趋势,而本土企业专利申请量上升趋势明显。目前,该产业可能已经处于技术成熟期。

废薄膜晶体管液晶显示器处理与管理

总结了薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)主要部件材料组成及液晶环境毒性,分析了废LCD浸出毒性、循环利用途径及污染问题,概括了国内外废TFT-LCD处理技术和回收、管理相关政策,在此基础上提出相关处理与管理建议。

薄膜晶体管液晶显示器对空间光调制模式与偏振器方向的关系

薄膜晶体管液晶显示器TFT LCD(Thin Film TransistorLiquidCrystalDevice)是信息光学研究中一种非常重要的电寻址空间光调制器SLM(SpatialLightModulator)。实验中通过调整TFT LCD的起偏器或检偏器的方向,可以分别得到正像、边缘暗突出像、负像等,并结合具有双折射特性的线性扭曲液晶介质对线偏振光的调制理论,对此给出解释。

基于目标级联法的薄膜晶体管液晶显示器生产链协同规划

针对生产链上的企业因分布在不同的地方而各自独立决策,难以取得整个生产链的协同效应,将目标级联法(ATC)应用到生产链的协同优化研究中,以薄膜晶体管液晶显示器产业为例,考虑了经典的成本约束、库存约束、运输约束等限制条件,设计了服从ATC建模思想的生产链协同规划三层级模型;同时建立了相同情境下的一体化模型,作为ATC求解效果的对比。最后,从结果正确性、时间复杂度、决策独立性和信息私有性4个角度对基于ATC的生产链协同规划研究进行评价,证明了ATC层次化建模方法解决生产链协同规划问题的优越性。

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)生产线专用设备分析——半导体设备供应商争夺的又一大市场

1888年奥地利植物学家莱尼茨尔首先发现液晶材料，经许多科学家持续研究，特别是在1968年美国RCA公司的海麦尔发现：向列相液晶的透明薄层通电时，会出现混浊现象（即产生电光效应）。首次制成了静态图像液晶显示器。此后，日本的夏普，精工和卡西欧等公司在美国公司的成果基础上实现了产品的大量生产，并不断发展。

废薄膜晶体管液晶显示器的拆解及预处理

对废薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的拆解及预处理的目的、原则和方法进行了初步的探讨。针对玻璃面板的处理,制定两种实验方案,并作了比较和分析。结果表明,预处理方案二工艺流程简单,使用丙酮的量少,节约时间且有利于环保。

彩色薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)基本原理与动态

概述了薄膜晶体管液晶显示器基本结构与原理。着重分析比较非晶硅与多晶硅薄膜晶体管的工艺、成本的区别。提出了应大力发展低温多晶硅薄膜晶体管技术，以适应下世纪大屏幕高清晰度液晶显示终端的需求。

薄膜晶体管液晶显示器生产中职业病危害识别的探讨

目的调查薄膜晶体管液晶显示器生产中作业人员接触职业病危害种类。方法对薄膜晶体管液晶显示器生产的工艺流程和职业病危害因素资料进行收集整理。结果根据生产流程中使用的设备及薄膜晶体管液晶显示器生产所用原辅材料,论述了生产过程中涉及的各类化学物质及物理因素等职业病危害因素。结论薄膜晶体管液晶显示器生产中职业病危害问题值得关注。

有源矩阵液晶显示器的薄膜晶体管技术

全文描述了应用于有源矩阵液晶显示器领域的各种薄膜晶体管技术,本期主要介绍多晶硅薄膜晶体管技术,给出了其主要类型、工作原理及性能,以及生产制作中的关键性技术。

有源矩阵液晶显示器的薄膜晶体管技术

全文描述了应用于有源矩阵液晶显示器领域的各种薄膜晶体管(TFT)技术,本期主要介绍非晶硅TFT和氢化微晶硅TFT技术,给出了它们的主要类型、工作原理、主要性能以及生产制作中的关键性技术,同时还对几种AMLCD-TFT驱动电路作了详细说明。

第7.5代薄膜晶体管液晶显示器件TFT-LCD生产线落户阜阳

2017年3月30日下午,第7.5代薄膜晶体管液晶显示器件TFT-LCD生产线及年产500万台液晶模组生产线项目,落户阜阳合肥现代产业园区（下文简称“阜合园区”）.该项目的签约,标志着阜合园区电子信息及液晶显示产业走向高端.

大尺寸薄膜晶体管液晶显示器的一种条状显示不均的分析和改善研究

研究了大尺寸薄膜晶体管液晶显示器产品开发中遇到的一种新的条状显示不均。通过扫描电子显微镜、四探针测试仪和分光光度计设备对这种显示不均进行了分析,这种显示不均与薄膜晶体管阵列基板上的金属配线的膜厚周期性波动有关,金属膜厚的周期性波动导致了液晶显示器的液晶盒盒厚的不均匀,从而造成显示不均。这种膜厚的周期性波动与液晶高世代线广泛采用的平面靶材溅射设备构造有关。通过对设备结构的改造,提高了基板面内的金属膜厚的均一性,改善了此不良。

薄膜晶体管液晶显示器中串扰的消除

由薄膜晶体管寻址的液晶显示器要受到与寄生电容有关的串扰。本文叙述了一种寻址技术,它可对串扰作出补偿,消除其明显影响。把每个行寻址时间间隔分成两个间隔。用其中的一个分间隔把正常信号传送到行。在另一分间隔内,所有的栅极不加电压,每列加上一个补偿电压,作为被寻址行上信号电压的补充。

薄膜晶体管液晶显示器的发展分析

随着科技的发展,薄膜晶体管液晶显示器广受大众的好评,但目前广泛运用的非晶硅薄膜晶体管却因迁移率低致使其阻碍了行业的发展。为解决此问题而引进的多晶硅、金属氧化物等材质,虽一定程度上解决了此问题,但仍有其运用的不足。为改善此状况,文章分析了薄膜晶体管液晶显示器及其发展的现状,以期为探求适应市场的新科技材料的应用与开发提供一定依据。

无定形硅薄膜晶体管有源矩阵寻址液晶显示器

晶体管特性取决于材料纯度和界面性质。讨论了顶部钝化的氮化物对场效应迁移率(μ_(FE))和阈值电压的影响。获得场效应迁移率为1.0cm^2V^(-1)S^(-1)。由栅和源之间脉冲电压作用引起的液晶显示器(LCD)工作期间阈值电压的偏移,可以通过累加根据脉冲顺序而依次产生的每个阈值电压偏移值计算出。已制备出的样品在50℃下估计寿命为10年,这对于的实际应用是令人十分满意的。本文报导了无定形硅薄膜晶体管液晶显示LCD(a-Si TFT-LCD)技术的最新进展。我们已设计出用于电视的对角线为6.5英寸的显示屏,用于高分辨率飞机座舱显示器的3.2英寸信息显示屏,用于计算机终端的14.3英寸大屏幕显示器。分别讨论了这些技术。