薄膜热电阻热流传感器的对比标定结果及分析

常用于薄膜热电阻热流传感器(简称薄膜热流计)的两步法存在标定步骤多、误差源多等问题。在解决吸收薄膜必要性、标定时限和标定热流范围等问题的基础上,实现了薄膜热流计的对比标定。在对比标定薄膜热流计时,基体材料的热物性参数乘积及热电阻的电阻–温度系数被处理为简单的传感器灵敏度系数,使得标定实验仅需重复简单的步骤,有效减少了误差源;针对通过对比标定获得的多支薄膜热流计灵敏度系数差异大的问题,在分析其测温原理的基础上,通过去除热电阻的电阻–温度系数,得到同一批次生产的多支薄膜热流计较为一致的修正灵敏度系数。薄膜热流计对比标定结果的扩展不确定度不超过6.5%,明显优于两步法标定结果的扩展不确定度(约10.7%),提升了薄膜热流计测热结果的可信度。

关于镍薄膜热电阻研制的几个问题

就镍薄膜热电阻研制过程中的选材、工艺、稳定性等问题进行了探讨 ,实验结果表明 :可以选用国产 0号镍 ,采用 S-枪磁控溅射技术制备镍薄膜热电阻 ;合适的热处理工艺是保证电阻温度系数α值及其一致性的关键 ;

自加热非晶锗热电阻MEMS流速传感器的制造与测试

为扩大流速传感器的测量范围并降低功耗,制造并测试了一种基于自加热非晶锗薄膜热电阻的MEMS流速传感器,它是由嵌入氮化硅薄膜的四个非晶锗热敏电阻和一对环境测温补偿电阻组成。四个非晶锗热电阻同时作为自加热热源和测温元件,相互连接以形成惠斯通电桥。给出了MEMS工艺流程,微加工制造了尺寸为8.9 mm×5.6 mm×0.4 mm的流速传感器芯片。搭建了低流速和高流速气流通道实验装置,对传感器的惠斯通电桥施加50μA的恒定电流(CCA),实现了0~50 m/s范围内的流速测量。结果表明,传感器在低流速(0~2 m/s)时的灵敏度约为81.6 mV/(m/s),在高流速(2~50 m/s)时的灵敏度约为51.9 mV/(m/s),最大功耗仅约为1.03 mW。

薄膜铂热电阻特性分析

薄膜铂电阻在温度测量领域应用广泛,使用数量巨大。在很多行业中,已取代了传统的线绕式铂电阻,但由于其原理未被充分掌握,以及特性未被深刻认识,在使用过程中,实际性能指标常常不理想,其高精度和高稳定性未得到充分发挥。为此对薄膜铂电阻工作原理、结构和加工工艺进行了介绍、针对不同于传统铂电阻的电阻温度变化规律、热响应时间和自热效应的特性进行分析,对在开展高精度温度测量应用时需注意的问题予以说明。

薄膜铂热电阻PT1000在热测试中的应用

电子设备的热测试是在电子设备完成热分析、热设计和完成样机之后,对电子设备样机的实际测试,以检测验证热设计与热分析的正确性。八路温度实时测量装置采用了薄膜铂热电阻PT1000作为温度传感器,以满足热测试的需求,文章给出了八路实时温度测量装置设计和工作原理。

薄膜铂热电阻元件的应用及发展

铂热电阻的发展，在很大程度上取决于其核心部件——铂热电阻元件的发展。从传统的云母、陶瓷、玻璃铂热电阻元件到后来出现的厚膜和薄膜铂热电阻元件，铂热电阻元件的发展方向已转移到膜式结构的产品上．尤其是薄膜铂热电阻元件。我国从1974年引入薄膜技术研发薄膜铂热电阻元件，成功解决铂热电阻元件的成本及应用问题起．至今已有30多年的历史，

薄膜式铂热电阻在发电机测温系统的应用

介绍了发电机测温系统的薄膜式铂热电阻的特点，论述了发电机专用薄膜式铂热电阻在发电机测温系统的应用。

高温老化和可靠性试验对Pt薄膜微型温度传感器的性能影响

设计了一种铂(Pt)薄膜热电阻微型温度传感器,采用磁控溅射方法制备传感器薄膜,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)等手段对老化前后的Pt薄膜组织进行了系统表征;采用温度标定法对Pt薄膜电阻的温度-电阻特性进行了研究;通过振动、冲击、温度冲击等试验研究了温度传感器的环境可靠性。结果表明,老化处理增加了Pt薄膜组织结晶度,减少了组织中的杂质元素、降低了Pt薄膜电阻;线性拟合得出Pt薄膜温度-电阻线性度为0.999 93,具有良好的线性关系;可靠性试验后Pt薄膜电阻上升,测温精度一定程度上受到影响,但误差不大于0.205 K,满足高精度传感器的要求。

退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究

合理的退火工艺可有效改善薄膜铂电阻的热阻参数。为了探究退火工艺对于薄膜铂电阻热阻特性的影响,探究了陶瓷基底上由磁控溅射工艺制备出的宽度为60μm,高度为300 nm的铂热电阻,在经过不同的退火工艺处理后,其灵敏度、线性度的变化规律。结果表明:在500~600℃之间,退火温度越高,灵敏度越大,线性度越好;当退火温度大于500℃,保温时间的延长会使灵敏度降低,线性度变差;基底粗糙度的增大更易于获得灵敏度大的铂薄膜。所探究出的退火工艺可有效改善薄膜型铂电阻传感器的热阻特性,具有很好的参考价值。

10～3000MHz电压基准的研究

论述了10～3000MHz电压基准的工作原理及特点，分析了不确定度。通过自行研制的电阻臂可变自动平衡电桥，建立了应用测热技术的射频电压自动校准系统。理论分析和实验表明：该基准装置在10～3000MHz频段内，0．1～2V量程中，不确定度为0．25％～0．7％，置信概率为99．73％。

Preparation and electrical properties of BaPbO_3 thin film

BaPbO3 thin films were deposited on Al2O3 substrates by sol-gel spin-coating and rapid thermal annealing. The microstructure and phase of BaPbO3 thin films were determined by X-ray diffractometry, scanning electrons microscopy and energy dispersive X-ray spectrometry. The influence of annealing temperature and annealing time on sheet resistance of the thin films was investigated. The results show that heat treatment, including annealing temperature and time, causes notable change in molar ratio of Pb to Ba, resulting in the variations of sheet resistance. The variation of electrical properties demonstrates that the surface state of the film changes from two-dimensional behavior to three-dimensional behavior with the increase of film thickness. Crack-free BaPbO3 thin films with grain size of 90 nm can be obtained by a rapid thermal annealing at 700 ℃ for 10 min. And the BaPbO3 films with a thickness of 2.5 μm has a sheet resistance of 35 Ω·-1.