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氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究 被引量:5
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作者 胡永达 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期50-51,共2页
大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的... 大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。 展开更多
关键词 基板 薄膜金属化特性 氮化铝 共烧 浆料 聚酰亚胺 分层布线
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