薄膜铂温度传感器多点温度检测系统

酒精生产过程中,需要对蒸馏塔多点温度进行检测。采用新型薄膜铂温度传感器设计了多点温度检测系统,使用正反馈型线性校正电路使输出电压与温度成线性关系,从而提高了检测系统的测量准确度。本系统的特点是电路设计新颖、测温准确度高、实用性强。

薄膜铂热电阻特性分析

薄膜铂电阻在温度测量领域应用广泛,使用数量巨大。在很多行业中,已取代了传统的线绕式铂电阻,但由于其原理未被充分掌握,以及特性未被深刻认识,在使用过程中,实际性能指标常常不理想,其高精度和高稳定性未得到充分发挥。为此对薄膜铂电阻工作原理、结构和加工工艺进行了介绍、针对不同于传统铂电阻的电阻温度变化规律、热响应时间和自热效应的特性进行分析,对在开展高精度温度测量应用时需注意的问题予以说明。

薄膜铂热电阻PT1000在热测试中的应用

电子设备的热测试是在电子设备完成热分析、热设计和完成样机之后,对电子设备样机的实际测试,以检测验证热设计与热分析的正确性。八路温度实时测量装置采用了薄膜铂热电阻PT1000作为温度传感器,以满足热测试的需求,文章给出了八路实时温度测量装置设计和工作原理。

薄膜铂热电阻元件的应用及发展

铂热电阻的发展，在很大程度上取决于其核心部件——铂热电阻元件的发展。从传统的云母、陶瓷、玻璃铂热电阻元件到后来出现的厚膜和薄膜铂热电阻元件，铂热电阻元件的发展方向已转移到膜式结构的产品上．尤其是薄膜铂热电阻元件。我国从1974年引入薄膜技术研发薄膜铂热电阻元件，成功解决铂热电阻元件的成本及应用问题起．至今已有30多年的历史，

铂薄膜电阻温度传感器玻璃密封材料的稳定性能研究

针对铂薄膜电阻温度传感器中绝缘封装过程中存在的气密、绝缘等性能问题,研究了两种玻璃与铂薄膜温度传感器氧化铝基底间浸润性、气密性、绝缘性及热循环稳定性等性能,优选性能最佳的玻璃密封材料应用在铂薄膜温度传感器中。研究结果表明,热稳定性存在差异SiO_(2)-Ba O-Al_(2)O_(3)-CaO系微晶玻璃与SiO_(2)-B_(2)O_(3)-Al_(2)O_(3)-CaO系微晶玻璃在800℃~1000℃间与氧化铝基底均具有良好的浸润性。SiO_(2)-Ba O-Al_(2)O_(3)-CaO系玻璃与SiO_(2)-B_(2)O_(3)-Al_(2)O_(3)-CaO系玻璃密封材料在800℃、通气压力在20.7 k Pa下的漏气率分别约为0.0073 sccm·cm^(-1)和0.0065 sccm·cm^(-1),绝缘电阻率分别约为21.6×106Ω·cm和31.1×106Ω·cm。此外,在30℃~800℃热循环500次后,两种玻璃表面出现尺寸不一的孔洞,其中,SiO_(2)-Ba O-Al_(2)O_(3)-CaO玻璃经历500次热循环后孔洞尺寸由0.13μm增至15.62μm,而SiO_(2)-B_(2)O_(3)-Al_(2)O_(3)-CaO系玻璃孔洞尺寸变化较小,表面形貌较为致密。以上研究结果表明,SiO_(2)-B_(2)O_(3)-Al_(2)O_(3)-CaO系玻璃具有更加优异的密封性能、高温绝缘性能及热循环稳定性,更适合用于铂薄膜电阻温度传感器的封装工艺。

氧化铂、钛过渡层对铂薄膜温度传感器性能的影响

铂(Pt)薄膜电阻具有体积小、结构简单、电阻温度系数(TCR)高和响应速度快的优点,结合MEMS技术可以实现发动机叶片温度的检测,但纯Pt与衬底之间的结合力较差,易导致薄膜失效。采用磁控溅射分别制备了氧化铂(Pt_(x)O_(y))和钛(Ti)过渡层的Pt薄膜电阻,分析了不同过渡层在不同温度(800,900,1000℃)下退火的微观形貌和电学性能,并分别测试了2种Pt电阻在900℃和1000℃下的稳定性。结果表明:1000℃退火的Pt/Pt_(x)O_(y)薄膜电阻的TCR值最大,达到了3434×10^(-6)/℃,Pt/Pt_(x)O_(y)薄膜电阻的电学性能优于Pt/Ti薄膜电阻,综合分析,900℃退火的Pt/Pt_(x)O_(y)薄膜电阻性能最优。

退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究

合理的退火工艺可有效改善薄膜铂电阻的热阻参数。为了探究退火工艺对于薄膜铂电阻热阻特性的影响,探究了陶瓷基底上由磁控溅射工艺制备出的宽度为60μm,高度为300 nm的铂热电阻,在经过不同的退火工艺处理后,其灵敏度、线性度的变化规律。结果表明:在500~600℃之间,退火温度越高,灵敏度越大,线性度越好;当退火温度大于500℃,保温时间的延长会使灵敏度降低,线性度变差;基底粗糙度的增大更易于获得灵敏度大的铂薄膜。所探究出的退火工艺可有效改善薄膜型铂电阻传感器的热阻特性,具有很好的参考价值。

直流磁控溅射铂电阻薄膜

根据薄膜理论和通过成膜工艺实验，研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。１）对铂靶材料的纯度要求高，含杂质极少；２）淀积薄膜要有一定厚度，通常近于１μｍ才能有较大的α；３）成膜以后，需经过高温热处理，减少缺陷，结晶化改善。通过大量实验，使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片，溅射铂薄膜的厚度为８００ｎｍ，高温热处理１ｈ，可以获得电阻温度系数为３．８５０×１０－３／℃的铂电阻薄膜。

铂薄膜化学气相沉积动力学规律探讨

以乙酰丙酮铂为沉积源物质 ,采用金属有机化合物化学气相沉积 (MOCVD )法在Mo基体上制备了Pt薄膜。研究了Pt薄膜的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铂的加热温度和运载气体 (氩气 )流速等沉积参数的关系。Pt的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程 :沉积速率与绝对温度的倒数呈现抛物线关系 ,当温度为 5 5 0℃时 ,Pt的沉积速率达到最大值 ;随着乙酰丙酮铂加热温度的升高 ,Pt的沉积速率直线增加 ;而氩气流速的增大则显著减少Pt的沉积速率。SEM波谱成分分析表明 ,Pt薄膜中含有少量的氧。

热处理对溅射在金属探针上的铂薄膜的影响

研究了退火温度对铂薄膜微观结构和电学性能的影响。在高曲率微小金属探针表面原位制造铂薄膜温度探测器,在450,500,550℃条件下进行退火。研究了不同厚度SiO_(2)薄膜对铂薄膜表面形貌的影响,重点介绍了经过不同温度退火后铂薄膜表面形貌和电学性能变化及其两者之间的相关性。实验结果表明:在金属探针表面制备2μm的SiO_(2)薄膜,既可以达到绝缘的效果,也可以保证粘附性。铂薄膜温度探测器初始电阻值、灵敏度和迟滞都有较大提高。但温度越高,对铂薄膜温度探测器的线性度影响越小。由于初始电阻值的变化幅度明显大于斜率ΔT/ΔR的变化幅度,所以电阻温度系数(TCR)均减小。因此,利用接近式光刻技术直接在高曲率物体表面制备金属薄膜,经过退火处理后可以得到稳定性高,响应速度较快、热阻性能较好的铂薄膜温度探测器。

铂薄膜电阻温度传感器封装研究

封装可以保护铂薄膜电阻温度传感器避免机械损伤,减弱薄膜高温下热挥发和团聚现象,提升器件综合性能。设计了一种玻璃釉料/高温陶瓷胶/氧化铝3层复合封装结构。通过合理设计封装结构,选择封装材料,优化封装工艺,调节各层材料热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE),减小了热应力,提升了封装可靠性。根据CTE和熔融温度加和性系数计算法则设计玻璃成分,制备玻璃粉末,优化玻璃釉料黏度,制备玻璃釉料。通过对玻璃粉末进行热分析,研究烧结温度对玻璃的影响,设计玻璃釉料烧结曲线,完成铂薄膜电阻封装。实验发现封装层结构致密,封装后电阻响应时间较短,封装提升了电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance,TCR)和高温(850℃)稳定性。研究表明这种封装结构有利于提升电阻温度传感器的综合性能。该研究对铂薄膜电阻封装具有指导价值。

聚焦离子束淀积铂薄膜性质的研究

聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。对FIB不同束流下淀积的Pt薄膜的性质,如厚度、体积、淀积速率、成份以及电阻进行了较全面的研究。离子束流的增大使Pt薄膜体积下降,而淀积速率逐渐上升;Pt薄膜的主要成份为C,占三分之二左右,Pt含量约为30%;当辅助反应气体流量不变时,Pt的含量随离子束流的增大而增加,C的含量则随之减少;薄膜的电阻比纯净Pt要大得多。据此给出了IC电路修改时较好的淀积条件,在IC产业的设计和制造中有较强应用价值。

薄膜式铂热电阻在发电机测温系统的应用

介绍了发电机测温系统的薄膜式铂热电阻的特点，论述了发电机专用薄膜式铂热电阻在发电机测温系统的应用。

铂薄膜热敏电阻

技术开发单位 中国电子科技集团公司第四十九研究所 技术简介 该铂薄膜热敏电阻器采用物化性能稳定且耐高低温的铂材料作为敏感材料，利用平面薄膜技术在陶瓷基片表面沉积铂薄膜敏感层，并利用等离子刻蚀技术加工形成具有优良性能的铂薄膜热敏电阻。

FSI国际在上海宣布推出全新PlatNiStrip镍铂薄膜的工艺

[美国明尼阿波利斯，2005年3月14日，中国上海]FSI国际有限公司（纳斯达克，FSII）今日在此间宣布推出一项新的研发成果，这项新的镍铂去除工艺旨在帮助集成电路制造商在65nm技术节点实现自我对准金属硅化物（Salicide)的形成。FSI使用其ZETA喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStrip工艺，并且与领先的集成电路制造商合作，在65nm试验线设备上对该工艺进行了验证。这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业标准的化学品实现。

Pt薄膜热敏电阻工艺研究

本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好的线性度和灵敏度,电阻温度系数达到(或接近)3 850 ?06℃1。本工艺条件稳定,适合批量生产。

脉冲激光薄膜制备技术

脉冲激光薄膜沉积是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了脉冲激光薄膜沉积技术的物理原理、独具的特点和研究发展动态。

镍铂合金溅射靶材在半导体制造中的应用及发展趋势

镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射,镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜,实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析,综述了镍铂合金结构与性质研究成果及制备方法,提出了镍铂合金靶材高纯化、提高磁透率和控制晶粒度的发展趋势。

化学气相沉积制备铂族金属涂层及难熔金属

综述了化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术制备高温抗氧化涂层—铂族金属(Pt、Ir)涂层及难熔金属(W、Mo、Ta、Nb、Re)的方法。并对部分有报道的沉积参数以及沉积参数对沉积层结构及性质的影响进行了介绍。