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Si基多孔SiO_2薄膜驻极体电荷储存稳定性
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作者 张晓青 A.Wedel +2 位作者 A.Buechtemann 夏钟福 张冶文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期518-520,共3页
通过控制溶胶 凝胶 (sol gel)工艺条件 ,利用相应条件下样品的红外光谱 ,等温表面电位衰减 ,开路热刺激放电电流谱等 ,考察了Si基多孔SiO2 薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性 ,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系... 通过控制溶胶 凝胶 (sol gel)工艺条件 ,利用相应条件下样品的红外光谱 ,等温表面电位衰减 ,开路热刺激放电电流谱等 ,考察了Si基多孔SiO2 薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性 ,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系。实验结果表明 ,反应物中水含量对薄膜驻极体的电荷储存稳定性及陷阱分布有一定的影响 ; 展开更多
关键词 多孔 薄膜驻极体 电荷储存稳定性 二氧化硅
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聚丙烯薄膜驻极体敷贴对失眠质量的影响 被引量:4
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作者 熊悦 龚美玉 邹学良 《实用临床医学(江西)》 CAS 2018年第8期1-4,19,共5页
目的探讨聚丙烯薄膜驻极体对失眠患者睡眠情况的影响。方法选择健康者40例(健康组),随机分为2组,每组20例,分别接受聚丙烯薄膜驻极体敷贴(健康A组)和安慰剂(健康B组)治疗;纳入失眠者60例,随机分为2组,每组30例,分别接受聚丙烯薄膜驻极... 目的探讨聚丙烯薄膜驻极体对失眠患者睡眠情况的影响。方法选择健康者40例(健康组),随机分为2组,每组20例,分别接受聚丙烯薄膜驻极体敷贴(健康A组)和安慰剂(健康B组)治疗;纳入失眠者60例,随机分为2组,每组30例,分别接受聚丙烯薄膜驻极体敷贴(失眠A组)和安慰剂(失眠B组,其中2例因无法耐受失眠而中途退出研究)治疗干预。在干预前和干预1、3周后进行失眠严重指数量表(ISI)评分及心肺耦合技术(CPC)睡眠质量监测[包括睡眠总时间、初入熟睡时间、熟睡时间、浅睡时间、快速眼动(REM)睡眠时间、觉醒时间和睡眠效率]。结果健康A组的熟睡时间百分比在干预前和干预后1、3周3次监测数据按时间顺序存在明显的增长趋势(P=0.001),且其增长趋势明显大于健康B组(P=0.028)。失眠A组的熟睡时间百分比及睡眠效率在干预前和干预后1、3周的3次监测数据按时间顺序存在明显的增长趋势(P=0.013,P=0.004),且其增长趋势明显大于失眠B组(P=0.017,P=0.019)。失眠A组的觉醒时间和ISI评分3次监测数据按时间顺序均存在下降趋势(P=0.028,P=0.014),且其觉醒时间和ISI评分的下降趋势也都明显大于失眠B组(P=0.042,P=0.021)。结论聚丙烯薄膜驻极体敷贴可以增加健康者的深睡眠和失眠者的深睡眠、睡眠效率,减少失眠者的觉醒时间及ISI评分。 展开更多
关键词 聚丙烯薄膜驻极体 经颅微电流刺激 失眠
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FEP薄膜驻极体对骨折愈合的影响及使用方法
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作者 陈中伟 周泽滇 +3 位作者 陈隆恩 张和康 王寿太 张国光 《中华创伤杂志》 CAS 1986年第1期1-3,T0001,共4页
用FEP薄膜驻极体对随访的68例骨折进行治疗,其愈合率达到:新鲜骨折为100%(25例),陈旧和延迟骨折100%(各12例),骨不连84%(19例),效果较为满意。本组病例在治疗过程中均需适当的固定,并注意到骨折固定的金属异物对治疗并无不良影响。
关键词 FEP薄膜驻极体 骨折愈合 骨不连 金属异物 固定手术
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Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正 被引量:3
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作者 张晓青 夏钟福 潘永刚 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期564-567,共4页
采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了... 采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究 .实验结果表明 ,经过化学表面修正后 ,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高 ;在低于 2 0 0℃时 ,HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当 ;DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性 . 展开更多
关键词 化学表面修正 驻极体薄膜 电荷储存稳定性
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硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定 被引量:1
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作者 张晓青 夏钟福 +1 位作者 张冶文 柳襄怀 《应用科学学报》 CAS CSCD 2001年第4期291-294,共4页
报道通过表面电位测量和 C- V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法 .它包括两个非破坏性的测量 :首先 ,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位 ,然后在样品表面蒸镀金属电极 ,形成 MIS结构 ,进行电容电... 报道通过表面电位测量和 C- V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法 .它包括两个非破坏性的测量 :首先 ,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位 ,然后在样品表面蒸镀金属电极 ,形成 MIS结构 ,进行电容电压 (C- V)测试 ,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位 .电荷重心和电荷密度可通过计算得出 .同时利用这一方法确定了硅基 Si3 N4/ Si O2 双层驻极体薄膜中的平均电荷重心 ,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度 ,经过 40 0°C下老化 2 0 m in,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3 N4和 Si O2 界面附近 . 展开更多
关键词 驻极体薄膜 平均电荷重心 电荷密度 表面电位 声电传感器 硅基多层薄膜
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X射线辐照对驻极体薄膜的影响
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作者 解希顺 黄晓琴 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期62-63,共2页
研究了X射线辐照对高分子驻极体薄膜的影响,并对结果进行了理论分析.
关键词 X射线 驻极体薄膜 辐照效应
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聚丙烯孔洞驻极体薄膜的突出压电活性及其应用研究
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作者 邱勋林 夏钟福 王飞鹏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期87-89,93,共4页
聚丙烯(PP)孔洞膜可呈现高达1000pC/N 的准静态压电 d_(53)系数,是久负盛名的铁电聚合物 PVDF 相应系数的50倍以上,可和压电陶瓷相媲美。基于国内外最新研究成果,综述了 PP 孔洞膜的制备技术、极化方法、压电活性以及可能的应用前景。
关键词 压电活性 聚丙烯 驻极体薄膜 孔洞 应用 突出 铁电聚合物 PVDF 研究成果 制备技术 准静态 C/N 陶瓷相 国内外 PP
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基于单极性驻极体薄膜的振动能俘获研究 被引量:6
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作者 马星晨 叶瑞丰 +1 位作者 张添乐 张晓青 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第17期324-331,共8页
利用电晕充电方法成功制备了单极性交联聚丙烯(IXPP)驻极体膜,并设计、制备了基于该驻极体膜的振动能量采集器.通过表面电位的测量,研究了IXPP驻极体膜的电荷储存稳定性;通过测量振动能量采集器样品的准静态和动态电荷灵敏度,考察了能... 利用电晕充电方法成功制备了单极性交联聚丙烯(IXPP)驻极体膜,并设计、制备了基于该驻极体膜的振动能量采集器.通过表面电位的测量,研究了IXPP驻极体膜的电荷储存稳定性;通过测量振动能量采集器样品的准静态和动态电荷灵敏度,考察了能量采集器的机电耦合性能,研究了能量采集器在{3-3}模式下对环境振动能的俘获.结果表明,用-13 kV的电晕电压与-2.0 kV的栅极电压给单面镀铝电极的IXPP样品充电,在实验室环境下放置15天后获得-680 V稳定的表面电位;利用准静态方法测量器件样品的电荷灵敏度,在1.3 kPa压强下,样品的准静态电荷灵敏度M高达1800 pC/N;对于有效面积为13 cm^2的能量采集器,当振子质量为42.2 g,在共振频率70 Hz处,样品在最佳负载电阻80 M?附近的输出功率为5μW. 展开更多
关键词 单极性驻极体薄膜 交联聚丙烯 振动能量采集器 能量俘获
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一种基于聚丙烯孔洞型铁电驻极体薄膜的新型传感器
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作者 孟召龙 张晓青 +3 位作者 孙转兰 李强 陈安琪 徐婷 《材料开发与应用》 CAS 2010年第3期51-53,65,共4页
采用聚丙烯孔洞型铁电驻极体薄膜作为机电转换材料,将其层叠封装制成压力传感元件,并设计电荷放大器将其输出信号放大,用无线发射模块/无线信号接收模块连以信号处理模块,做成无线传感器。这种无线传感器可用于报警、运动监测。
关键词 聚丙烯孔洞型铁电驻极体薄膜 无线传感器 信号放大 无线发射与接收
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膜裂法驻极体纤维的实验研究 被引量:1
10
作者 孙熙 林秀丽 +1 位作者 苑春苗 解兆晶 《沈阳建筑大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第4期312-314,共3页
为提高纤维过滤器的净化性能,提高除尘效率降低阻力,增加容生量.研制驻极体纤维笔者形成稳定的驻极体薄膜,笔者就驻极体薄膜的形成及其表面电位的衰减进行了研究,采用电晕荷电法研制了具有稳定荷电的聚丙烯驻极体薄膜.研究表明,聚丙烯... 为提高纤维过滤器的净化性能,提高除尘效率降低阻力,增加容生量.研制驻极体纤维笔者形成稳定的驻极体薄膜,笔者就驻极体薄膜的形成及其表面电位的衰减进行了研究,采用电晕荷电法研制了具有稳定荷电的聚丙烯驻极体薄膜.研究表明,聚丙烯薄膜可以通过电晕荷电法形成稳定的驻极体薄膜,进而可采用膜裂法制造驻极体纤维.驻极体薄膜的表面电位与充电电压、温度、极间距离、充电时间有关,电晕充电法形成的薄膜驻极体的表面电位呈e指数衰减. 展开更多
关键词 驻极体薄膜 聚丙烯薄膜 膜裂法 驻极体纤维 表面电位
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驻极体对创面愈合影响的实验研究 被引量:1
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作者 郝岚 张明利 +1 位作者 江键 王振中 《第二军医大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期464-466,共3页
目的:研究驻极体对猪浅Ⅱ度创面愈合的影响。方法:将凡士林油纱布(对照组)和+700V之驻极体薄膜(实验组)覆盖在猪背部24个浅Ⅱ度创面上,于术后第1,2,3,5,7d,分别测定创面上皮细胞DNA含量;光镜下观察上皮细... 目的:研究驻极体对猪浅Ⅱ度创面愈合的影响。方法:将凡士林油纱布(对照组)和+700V之驻极体薄膜(实验组)覆盖在猪背部24个浅Ⅱ度创面上,于术后第1,2,3,5,7d,分别测定创面上皮细胞DNA含量;光镜下观察上皮细胞生长情况;利用微机计算创面面积的缩小率及肉眼观察创面愈合情况。结果:实验组面积缩小率明显大于对照组,光镜下显示实验组上皮细胞生长旺盛,术后第7天其DNA含量明显高于对照组(P<0.05)。结论:驻极体有促进创面愈合的作用。 展开更多
关键词 驻极体薄膜 创面愈合 上皮细胞 创伤
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电声传感聚合物驻极体发展的新动态
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作者 黄晓琴 解希顺 《电声技术》 北大核心 2003年第6期4-6,共3页
驻极体薄膜作为电声传感器件应用已有几十年的历史,近年来国际上对多孔驻极体材料的压电效应引起了业内人士的高度重视和极大兴趣。聚合物薄膜压电传感器随着新型薄膜材料的发展而有可能成为未来驻极体应用的一个高层次的领域和更新换... 驻极体薄膜作为电声传感器件应用已有几十年的历史,近年来国际上对多孔驻极体材料的压电效应引起了业内人士的高度重视和极大兴趣。聚合物薄膜压电传感器随着新型薄膜材料的发展而有可能成为未来驻极体应用的一个高层次的领域和更新换代的产品。 展开更多
关键词 驻极体薄膜 电声传感器 压电效应 聚合物薄膜
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基于驻极体的低功耗非接触式电压测量技术
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作者 李嘉晨 刘向明 +7 位作者 刘俊 高雅浩 彭思敏 张洲威 毋正伟 郑凤杰 任仁 彭春荣 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2022年第7期117-122,共6页
针对低功耗、高性能非接触式电压测量的需求,提出一种基于驻极体电容结构的非接触式电压测量技术。驻极体电容结构由正面蒸发有金属导电薄膜的驻极体薄膜、绝缘衬圈和金属电极构成,通过理论分析和有限元仿真,得到传感器的输出响应关系,... 针对低功耗、高性能非接触式电压测量的需求,提出一种基于驻极体电容结构的非接触式电压测量技术。驻极体电容结构由正面蒸发有金属导电薄膜的驻极体薄膜、绝缘衬圈和金属电极构成,通过理论分析和有限元仿真,得到传感器的输出响应关系,并通过搭建实验测试平台对传感器进行性能测试。测试结果表明,传感器输出响应特性与理论分析吻合,并具有较好的线性度和重复性,在施加600、800、1 000 Hz被测电压条件下,传感器的线性度分别达到6.1%、3.5%、2.7%,重复性分别达到9.67%、 5.93%、5.46%。 展开更多
关键词 低功耗 驻极体薄膜 非接触式电压测量 电压传感器 电场测量
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材料
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《电子科技文摘》 1999年第8期9-9,共1页
Y98-61303-821 9905624互补 MOS 器件及其可靠性:先进的 CMOS 栅和沟道技术(含6篇文章):Session 33:CMOS devices and re-liability-advanced CMOS gate/channel engineering[会,英]//1997 IEEE International Electron Devices Meet-i... Y98-61303-821 9905624互补 MOS 器件及其可靠性:先进的 CMOS 栅和沟道技术(含6篇文章):Session 33:CMOS devices and re-liability-advanced CMOS gate/channel engineering[会,英]//1997 IEEE International Electron Devices Meet-ing.—821~844(G)本部分的6篇文章具体介绍了栅长度在100nm以下的金属栅 NMOS 晶体管备份栅工艺,采用 W/TiN 作为一般0.13μm CMOS 器件用金属栅的可行性,高性能0.18μm CMOS 用的多晶硅、锗栅极,采用RTCVD 原位掺硼 Si_(1-x)Ge_x 栅制做的单栅极0.15μmCMOS 器件,采用零阈值电压模拟 MOSFET 的0.18μm 低电压/低功率 RF CMOS 器件,以及减少因随机设置掺杂物引起阈值电压不稳定的沟道技术。 展开更多
关键词 驻极体薄膜 表面态 固体介质 击穿 会议录 导电 国际会议 局部放电 空间电荷 热激电流
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