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超弹性薄膜与可压缩基底双层结构表面失稳分析 被引量:6
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作者 黄春阳 唐山 彭向和 《力学学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第4期758-762,共5页
当上层超弹性硬质薄膜和下层可膨胀基底构成的双层结构受压时,薄膜的自由表面可通过形成褶皱降低系统能量.研究表明,上下两层的模量比不同时,上层弹性硬质薄膜将表现出不同的表面失稳模式.本文提出了一种新颖的方法可有效抑制双层软材... 当上层超弹性硬质薄膜和下层可膨胀基底构成的双层结构受压时,薄膜的自由表面可通过形成褶皱降低系统能量.研究表明,上下两层的模量比不同时,上层弹性硬质薄膜将表现出不同的表面失稳模式.本文提出了一种新颖的方法可有效抑制双层软材料的表面失稳,即改变基底材料的泊松比,这种方法同时适用于不具有应变硬化的软材料.首先基于Neo-Hookean模型发展了小变形条件下双层结构表面失稳的理论模型,通过半解析的方法得到了表面失稳的临界应变;然后通过有限元计算与模拟,进一步验证了负泊松比基底可延缓表面失稳.结果表明:(1)当双层结构基底泊松比为正且趋于0.5(不可压缩)时,双层结构在较小的压缩应变下出现表面失稳;(2)当基底的泊松比为负且趋于-1时,可被压缩至46%而不出现表面失稳,即可膨胀基底能有效抑制薄膜的表面失稳.本文发展的方法及主要结果可为延展性电子器件的设计提供指导. 展开更多
关键词 薄膜--基底结构 表面失稳 负泊松比 可延展性电子
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Microstructures and magnetic properties of [SiO_2/FePt]_5/Ag thin films 被引量:2
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作者 范九萍 许小红 +2 位作者 江凤仙 田宝强 武海顺 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2008年第1期11-14,共4页
[SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied... [SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied to study the magnetic properties and microstructures of the films. The results show that without Ag underlayer [SiO2/FePt]5 films deposited onto the glass are FCC disordered; with the addition of Ag underlayer [SiO]FePt]5/Ag films are changed into L10 and (111) mixed texture. The variation of the SiO2 nonmagnetic layer thickness in [SiO2/FePt]5/Ag films indicates that SiO2-doping plays an important role in improving the order parameter and the perpendicular magnetic anisotropy, and reducing the grain size and intergrain interactions. By controlling SiO2 thickness the highly perpendicular magnetic anisotropy can be obtained in the [SiO2 (0.6 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films and highly (001)-oriented films can be obtained in the [SiO2 (2 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films. 展开更多
关键词 [SiO2/FePt]5 multilayer films SiO2-doping Ag underlayer (001) orientation
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