TiO_2薄膜的制备方法及应用

TiO2薄膜具有良好的电学性能,优异的光学性能,化学稳定性高,机械强度高,长期以来受到人们的关注,已经广泛应用在电子、光学、医学等方面。本文简单介绍了TiO2薄膜的制备方法及应用。

化学溶液方法制备涂层导体CexLa1-xO2薄膜的研究

获得多功能单一过渡层是简化涂层导体多层结构的主要课题之一.采用化学溶液方法制备La掺杂CeO2过渡层,研究La掺杂量对CeO2薄膜表面形貌和双轴取向生长的影响.结果表明La掺杂量为10mol%的薄膜表面平整致密,且能保持锐利的双轴织构.通过多次涂敷工艺,获得具有120nm厚的Ce0.9La0.1O2过渡层.采用脉冲激光沉积方法在Ce0.9La0.1O2/NiW结构模板层上沉积了YBCO超导薄膜,其起始临界转变温度达到90.5K.这表明采用化学溶液方法制备Ce0.9La0.1O2薄膜是一种有前景的简化涂层导体多层结构的方法.

纳米TiO_2薄膜的制备方法

本文对纳米 Ti O2 薄膜的各种制备方法 ,包括基于溶胶 -凝胶的涂层方法、电沉积、化学气相沉积、物理气相沉积、自组装制膜 ,以及喷雾热分解等方法的研究进展进行了综述。对不同方法的优缺点进行了比较和评述 ,对今后 Ti O2

脉冲准分子激光大面积扫描沉积V_2O_5光电薄膜及光谱分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在透明导电玻璃 (ITO)及Si(1 1 1 )单晶基片上沉积了尺寸达 4× 4cm2 ,具有高c轴 (0 0 1 )取向生长的V2 O5薄膜。采用X射线衍射 (XRD)、拉曼光谱 (RS)、傅里叶红外光谱 (FT IR)对沉积及不同温度下退火处理的样品结构和光谱特性进行了研究。

纳米TiO_2薄膜的制备方法对NPC太阳电池性能的影响

采用溶胶凝胶法、粉末涂敷法在导电玻璃上制得纳米TiO2薄膜.X射线衍射实验表明该薄膜主要是锐钛矿相结构,透射电子显微镜测得薄膜晶粒尺寸为30nm左右,扫描电镜观察了薄膜的表面形貌.分析了这两种方法制得的纳米TiO2薄膜所组成的染料敏化太阳电池的性能,提出了一种新的制作纳米TiO2薄膜的方法.

染料敏化太阳能电池TiO_2薄膜的制备方法

阐述了对应用在染料敏化太阳能电池中作为电极的TiO2薄膜的要求,对如何能制备出具有较好电池性能的TiO2薄膜电极的方法进行了综述,分析了各种方法的优劣,对未来染料敏化太阳能电池中TiO2薄膜的制备方法提出了建议。

Bi_2Te_3基热电薄膜材料的制备方法研究

Bi_2Te_3基热电材料由于在微电子、光电子等高技术领域具有潜在的应用前景,从而得到了人们的广泛关注。低维Bi_2Te_3基热电材料由于具有特殊的量子限制效应,已成为提高热电性能的有效途径。近年来,研究者非常重视Bi_2Te_3基热电薄膜的制备及性能研究,并做了大量相关的研究工作,许多制备方法也相继出现,并获得了高质量的Bi_2Te_3基热电薄膜。

染料敏化太阳能电池中TiO_2和ZnO薄膜光阳极制备方法述评

对染料敏化太阳能电池光阳极TiO2和ZnO薄膜制备的常用方法溶胶凝胶法、水热合成法、磁控溅射法、电化学沉积法以及脉冲激光沉积法、金属有机物化学气相沉积法、化学气相沉积法、喷雾热解法和化学沉淀法进行了述评,指出:半导体薄膜的制备和优化,减少电子在其传输过程中的损失,探索多种半导体材料的复合薄膜,优化半导体薄膜的能级结构和与光敏染料能级的匹配性,以及制备更为紧凑有序的纳米阵列光阳极材料和适合规模化生产的工艺是今后应强化的主要研究内容.

SrTiO_3斜切基片上外延生长YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的扫描探针显微镜研究

采用激光脉冲沉积法在钛酸锶SrTiO3 (0 0 1)斜切基片上外延生长YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,在大气环境下采用扫描探针显微镜对YBa2 Cu3 O7 δ薄膜的表面纳米形貌进行直接观察。发现YBa2 Cu3 O7 δ薄膜具有相对光滑的表面形貌 ,薄膜表面由沿SrTiO3台阶趋向外延生长的纳米台阶组成 ,薄膜生长模式主要以台阶媒体生长为主。

柔性TiO2薄膜电极的制备方法及其对光电性能的影响

分别采用水热法和紫外处理低温烧结法制备了柔性TiO2薄膜电极。通过傅立叶变换红外吸收光谱仪（FTIR）、紫外可见光仪（UVSP）、场发射扫描电镜（FESEM）对两种方法制备的TiO2薄膜电极进行表征，同时，测试了不同电极组装柔性染料敏化太阳能电池的光电性能。结果表明：两种方法制备的电极均为一种多孔结构，不含有机物；紫外处理低温烧结法制备电极组装柔性电池的短路电流为4.9mA，其光电转换效率为1．28％。而水热法制备电极组装柔性电池的稳定性较好，虽然其短路电流为2．60mA，光电转换效率为1．32％。

HfO_2薄膜或涂层的制备方法及相应特点

HfO_2因具有大的介电常数、宽的带隙、低的漏电流、与Si的导带偏移较大且与Si的晶格匹配良好,在半导体工业领域获得了广泛的应用;同时,Hf O2有着高的熔点,低的导热系数及蒸发率,优良的热相容、热障及热扩散屏障等性能,是目前高温抗氧化涂层材料最具希望的候选材料。本文简述了HfO_2薄膜几种常见的制备方法及相应特点。

SiO2薄膜制备方法、性能及其应用的研究进展

综述了二氧化硅(SiO2)薄膜的制备方法和研究进展,介绍了磁控溅射、溶胶凝胶法和真空镀等SiO2薄膜制备方法及其优缺点,论述SiO2薄膜在光学、电学和光电等性能研究方面的新进展,最后对SiO2薄膜的应用和发展进行了展望.

Al_2O_3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法

研究了 ECR- PAMOCVD在蓝宝石衬底上生长 Ga N外延层时衬底的清洗方法和缓冲层结构对于 Ga N晶体质量的影响 ,提出了新的衬底清洗方法和双缓冲层结构 .实验表明这种方法能够提供一个很好的生长基底 ,可以有效地改善 Ga

CuSbS2薄膜制备方法及其太阳能电池的研究进展

三元金属硫化物CuSbS2是一种所含元素地储丰富且环境友好的太阳能电池光吸收层材料,并且具有较高的光吸收系数、合适的带隙以及较低的熔点等特性,有望应用在建筑集成、公共基础建设以及便携电子产品等方面。本文首先综述了近些年各团队在CuSbS2薄膜上的不同制备方法,总结了Cu含量和热处理等对薄膜质量的影响,然后介绍了在太阳能电池方面的最新研究进展,比如电池器件的设计和转换效率的提升等,最后对CuSbS2薄膜太阳能电池的发展趋势作出展望。

醋酸处理对TiO_2纳米薄膜光催化性能的影响

用溶胶 -凝胶方法在普通玻璃基体上制备了均匀透明的TiO2 纳米薄膜 ,并经 5 0 0℃煅烧 2h ,煅烧后的TiO2 薄膜在2mol·L-1的CH3 COOH水溶液中处理 2 4h ,最后分别在 10 0和 5 0 0℃进行第二次热处理 .醋酸处理前后的薄膜分别用UV vis ,SEM ,XRD和XPS进行了表征 ,并用甲基橙水溶液的光催化降解评价TiO2 纳米薄膜的光催化性能 .结果发现 :用醋酸处理后的TiO2 纳米薄膜的光催化活性高于处理前薄膜的光催化活性 ;而且 ,酸处理后经 5 0 0℃热处理的TiO2 纳米薄膜的光催化活性明显高于经 10 0℃热处理的TiO2

可见光诱导纳米TiO_2超亲水薄膜的研究进展

纳米TiO_2超亲水薄膜是最具应用潜力的自清洁材料之一,但由于其禁带宽度较大,只能被波长小于387nm的紫外光所激发,不能有效地利用太阳光中占绝大部分的可见光,使其实际应用受到极大的限制。因此研究开发可见光激发的纳米TiO_2超亲水薄膜就成为该领域的关键课题之一。综述了近年来纳米TiO_2薄膜的超亲水性机理的研究情况及影响亲水性的因素、实现可见光响应的改性方法,并对纳米TiO_2超亲水薄膜的应用前景进行了展望。

Ta_2O_5薄膜制备的研究现状及进展

Ta2O5薄膜具有很好的电学性能和光学性能,制备方法种类繁多,如溶胶-凝胶法(Sol-gel)、化学气相沉积法、电子束蒸发技术、溅射法、Ta层阳极氧化或热氧化法、离子辅助沉积法(IBAD)、原子层沉积法(ALD)等。评述了现有各种制备方法的优缺点,综述了Ta2O5薄膜各种方法制备的条件、薄膜的功能性质等,并评析了金属有机化合物为前驱体制备性能优良的Ta2O5薄膜的前景。

镧掺杂纳米TiO_2薄膜的制备及对甲醛的光催化降解

采用sol gel技术 ,在细玻璃管表面制备了La掺杂复合TiO2 薄膜光催化剂。通过SEM、XRD和UV VIS等测量手段对该催化剂表面形貌、薄膜相组成、光吸收特性进行了表征和研究。结果表明 ,薄膜表面为多孔状 ,粒子晶型为锐钛矿相 ,适当的La掺杂可以细化晶粒并且有效提高薄膜对紫外光 (λ <387nm)的吸收。在一个封闭循环装置中考察了甲醛气体的光催化降解。甲醛的光催化降解曲线是吸附和降解共同作用的结果 ,其降解率随初始浓度的升高而增加。实验发现热处理温度为 5 0 0℃、镧掺杂量 1 5 %(质量分数 )

纳米多孔TiO_2薄膜的合成及其光电化学性能

采用溶胶-凝胶、水热合成、旋转涂覆等方法制备了纳米多孔TiO2薄膜。以扫描电镜、X射线衍射等手段,分析了不同纳米多孔TiO2薄膜的结构。通过比较不同薄膜制作的染料敏化太阳能电池性能,寻求不同方法所制备薄膜对DSC性能的影响因素。实验结果表明,旋转涂覆法所制备的染料敏化太阳能电池具有较高的光电化学性能,在50mW/cm2的模拟光照下(AM1.5)开路电压为0.696V,短路电流为6.19mA/cm2,填充因子为0.584。

溶胶-凝胶法Ba_2TiSi_2O_8铁电薄膜的制备及结构表征

采用溶胶-凝胶工艺在Si(100)衬底上制备了Ba2TiSi2O8(BTS)薄膜。通过XRD衍射、傅立叶红外(FT-IR)、拉曼(Raman)散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的显微结构进行了表征。AFM分析显示，BTS薄膜表面光滑，晶粒尺寸在0．30～0．50μm。薄膜结构分析表明：随着退火温度的增加，BTS薄膜的结晶度增加，薄膜结构变得更加致密。同时，随着退火温度的升高，晶胞尺寸出现了收缩，导致了BTS薄膜的四方比c／a从0．613上升到0．618，将对薄膜的压电性能产生影响。